[发明专利]显示面板及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211048543.1 申请日: 2022-08-29
公开(公告)号: CN115425030A 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 柯霖波 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/15;H01L27/32
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 杨瑞
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种显示面板,其特征在于,包括功能附加区、主显示区和位于所述功能附加区与所述主显示区之间的过渡区;其中,所述显示面板包括:

衬底;

驱动电路层,设置于所述衬底一侧;

发光功能层,包括公共层和像素电极层,所述公共层设置于所述像素电极层远离所述驱动电路层的一侧;

其中,所述驱动电路层包括设置于所述过渡区的底切部,所述底切部包括一金属层和一有机层,所述有机层位于所述衬底和所述金属层之间,所述金属层的横向端在横向方向上比所述有机层的横向端延伸得更远,所述公共层被所述底切部断开。

2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层还包括第一源漏极层、第二源漏极层、第一平坦化层和第二平坦化层,所述第一源漏极层设置于所述第一平坦化层和所述衬底之间,所述第一平坦化层设置于所述第一源漏极层和所述第二源漏极层之间,所述第二源漏极层设置于所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间,所述第二源漏极层包括所述金属层,所述第一平坦化层包括所述有机层,在所述过渡区,所述第二源漏极层的横向端在横向方向上比所述第一平坦化层的横向端延伸得更远。

3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层还包括绝缘层,所述绝缘层设置于所述第一源漏极层远离所述第一平坦化层的一侧,位于所述底切部所处区域内的所述绝缘层的厚度,小于位于所述显示区内的所述绝缘层的厚度。

4.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层还包括:

第一半导体层,设置于所述衬底一侧;

第一栅极绝缘层,设置于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧;

第一栅极层,设置于所述第一栅极绝缘层远离所述第一半导体层的一侧;

第二栅极绝缘层,设置于所述第一栅极层远离所述第一栅极绝缘层的一侧;

第二栅极层,设置于所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极层的一侧;

第一层间绝缘层,设置于所述第二栅极层远离所述第二栅极绝缘层的一侧;

第二半导体层,设置于所述第一层间绝缘层远离所述第二栅极层的一侧;

第三栅极绝缘层,设置于所述第二半导体层远离所述第一层间绝缘层的一侧;

第三栅极层,设置于所述第三栅极绝缘层远离所述第二半导体层的一侧;

第二层间绝缘层,设置于所述第三栅极层远离第三栅极绝缘层的一侧;

其中,所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第一层间绝缘层、所述第三栅极绝缘层和所述第二层间绝缘层从所述显示区延伸至所述过渡区,所述底切部设置于所述第二层间绝缘层远离所述衬底的一侧。

5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,位于所述底切部所处区域内的所述第二层间绝缘层的厚度,小于位于所述显示区内的所述第二层间绝缘层的厚度。

6.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层还包括第一源漏极层、第二源漏极层、第三源漏极层、第一平坦化层、第二平坦化层和第三平坦化层,所述第一源漏极层设置于所述第一平坦化层和所述衬底之间,所述第一平坦化层设置于所述第一源漏极层和所述第二源漏极层之间,所述第二源漏极层设置于所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间,所述第二平坦化层设置于所述第二源漏极层和所述第三源漏极层之间,所述第三源漏极层设置于所述第二平坦化层和所述第三平坦化层之间,所述第三源漏极层包括所述金属层,所述第二平坦化层包括所述有机层,在所述过渡区,所述第三源漏极层的横向端在横向方向上比所述第二平坦化层的横向端延伸得更远。

7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层还包括缓冲层,所述有机层与所述缓冲层接触,所述金属层设置于所述有机层远离所述缓冲层的一侧。

8.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层包括源漏极层和设置于所述源漏极层上的平坦化层,所述平坦化层包括所述有机层,所述金属层设置于所述平坦化层远离所述衬底的一侧。

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