[发明专利]一种太阳电池及其制备工艺在审
| 申请号: | 202211042263.X | 申请日: | 2022-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN115295638A | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
| 发明(设计)人: | 谈仕祥;王秀鹏;苏世杰;章伟冠;廖劫;郭忠君 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(成都)有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0745;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 程晓 |
| 地址: | 610000 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳电池 及其 制备 工艺 | ||
1.一种太阳电池的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:
在光伏结构层的正面和背面形成透明导电膜层;
在所述透明导电膜层的表面形成金属种子层;
先在所述金属种子层的表面形成图案化掩膜层以作为中间产物,然后在所述中间产物的边缘部涂覆绝缘胶,干燥以获得绝缘胶层;
其中,所述图案化掩膜层的开口对应于金属栅线的位置;
在所述图案化掩膜层的开口内形成与所述金属种子层连接的金属基层,在所述金属基层的表面形成金属保护层。
2.根据权利要求1所述的制备工艺,其特征在于,位于所述中间产物的侧壁的所述绝缘胶层的厚度≤10μm。
3.根据权利要求1所述的制备工艺,其特征在于,位于所述中间产物的侧壁的所述绝缘胶层的厚度为5-10μm。
4.根据权利要求1所述的制备工艺,其特征在于,所述绝缘胶层的两端延伸并包覆所述图案化掩膜层的边缘区,所述边缘区的宽度为0.3mm-0.5mm。
5.根据权利要求1所述的制备工艺,其特征在于,所述光伏结构层包括依次连接的正面N型非晶硅层、正面本征非晶硅层、N型单晶硅片、背面本征非晶硅层以及背面P型非晶硅层。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的制备工艺,其特征在于,所述金属基层为Ni、Cu、Ag、In、Sn、Al、Cr、Au中的一种,或者,所述金属基层为Ni、Cu、Ag、In、Sn、Al、Cr、Au中的多种以堆叠的形式布置。
7.根据权利要求1-5任意一项所述的制备工艺,其特征在于,所述金属种子层的材质为铜,所述金属基层的材质为铜,所述金属保护层的材质为锡或银。
8.根据权利要求1-5任意一项所述的制备工艺,其特征在于,在所述金属基层的表面形成金属保护层的步骤后,所述制备工艺还包括:先去除所述绝缘胶层以及所述掩膜层,以暴露形成有金属保护层的所述金属基层,然后去除未被所述金属基层覆盖的所述金属种子层的部分。
9.根据权利要求1-5任意一项所述的制备工艺,其特征在于,在所述金属种子层的表面上形成图案化的所述掩膜层的步骤包括:先在所述金属种子层的表面上形成未图案化掩膜层,然后蚀刻所述掩膜层以进行图案化;
可选地,所述掩膜层的材质含光敏成分,所述蚀刻的方式为光刻。
10.一种太阳电池,其特征在于,其由权利要求1-9任意一项所述的制备工艺制得。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





