[发明专利]一种太阳电池及其制备工艺在审

专利信息
申请号: 202211042263.X 申请日: 2022-08-29
公开(公告)号: CN115295638A 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 谈仕祥;王秀鹏;苏世杰;章伟冠;廖劫;郭忠君 申请(专利权)人: 通威太阳能(成都)有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0745;H01L31/18
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 程晓
地址: 610000 四川省成都市双流*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳电池 及其 制备 工艺
【权利要求书】:

1.一种太阳电池的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:

在光伏结构层的正面和背面形成透明导电膜层;

在所述透明导电膜层的表面形成金属种子层;

先在所述金属种子层的表面形成图案化掩膜层以作为中间产物,然后在所述中间产物的边缘部涂覆绝缘胶,干燥以获得绝缘胶层;

其中,所述图案化掩膜层的开口对应于金属栅线的位置;

在所述图案化掩膜层的开口内形成与所述金属种子层连接的金属基层,在所述金属基层的表面形成金属保护层。

2.根据权利要求1所述的制备工艺,其特征在于,位于所述中间产物的侧壁的所述绝缘胶层的厚度≤10μm。

3.根据权利要求1所述的制备工艺,其特征在于,位于所述中间产物的侧壁的所述绝缘胶层的厚度为5-10μm。

4.根据权利要求1所述的制备工艺,其特征在于,所述绝缘胶层的两端延伸并包覆所述图案化掩膜层的边缘区,所述边缘区的宽度为0.3mm-0.5mm。

5.根据权利要求1所述的制备工艺,其特征在于,所述光伏结构层包括依次连接的正面N型非晶硅层、正面本征非晶硅层、N型单晶硅片、背面本征非晶硅层以及背面P型非晶硅层。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的制备工艺,其特征在于,所述金属基层为Ni、Cu、Ag、In、Sn、Al、Cr、Au中的一种,或者,所述金属基层为Ni、Cu、Ag、In、Sn、Al、Cr、Au中的多种以堆叠的形式布置。

7.根据权利要求1-5任意一项所述的制备工艺,其特征在于,所述金属种子层的材质为铜,所述金属基层的材质为铜,所述金属保护层的材质为锡或银。

8.根据权利要求1-5任意一项所述的制备工艺,其特征在于,在所述金属基层的表面形成金属保护层的步骤后,所述制备工艺还包括:先去除所述绝缘胶层以及所述掩膜层,以暴露形成有金属保护层的所述金属基层,然后去除未被所述金属基层覆盖的所述金属种子层的部分。

9.根据权利要求1-5任意一项所述的制备工艺,其特征在于,在所述金属种子层的表面上形成图案化的所述掩膜层的步骤包括:先在所述金属种子层的表面上形成未图案化掩膜层,然后蚀刻所述掩膜层以进行图案化;

可选地,所述掩膜层的材质含光敏成分,所述蚀刻的方式为光刻。

10.一种太阳电池,其特征在于,其由权利要求1-9任意一项所述的制备工艺制得。

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