[发明专利]半导体布置、半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

器件衬底，具有第一侧和第二侧；

介电层，设置在所述器件衬底的所述第一侧上方；

通孔，所述通孔沿第一方向延伸穿过所述介电层并且穿过所述器件衬底从所述第一侧延伸至所述第二侧；以及

保护环，设置在所述介电层中和所述通孔周围，其中：

所述保护环包括沿所述第一方向堆叠的金属层，

所述金属层包括第一侧壁和第二侧壁，其中，所述第一侧壁形成所述保护环的内侧壁，以及

所述金属层的所述第一侧壁之间的重叠部分小于约10nm，并且所述重叠部分沿与所述第一方向不同的第二方向。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述金属层的第一组具有第一重叠部分，所述金属层的第二组具有与所述第一重叠部分不同的第二重叠部分，并且所述第一重叠部分和所述第二重叠部分每个小于约10nm。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述金属层的所述第一组位于所述金属层的所述第二组和所述器件衬底的所述第一侧之间，并且所述第一重叠部分小于所述第二重叠部分。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述金属层的第三组具有与所述第一重叠部分和所述第二重叠部分不同的第三重叠部分，所述金属层的所述第二组位于所述金属层的所述第三组和所述金属层的所述第一组之间，并且所述第三重叠部分大于所述第二重叠部分。

5.根据权利要求2所述的半导体结构，还包括：

多层互连结构，设置在所述介电层中，其中，所述多层互连结构包括具有第一间距的第一金属化层组以及具有与所述第一间距不同的第二间距的第二金属化层组；以及

所述金属层的所述第一组是所述第一金属化层组的部分，并且所述金属层的所述第二组是所述第二金属化层组的部分。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述第一金属化层组位于所述第二金属化层组和所述器件衬底的所述第一侧之间，并且所述第一间距小于所述第二间距。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，由所述保护环的所述内侧壁限定的区域具有沿所述第二方向的第一尺寸，所述通孔具有沿所述第二方向的第二尺寸，并且所述第一尺寸与所述第二尺寸的比率大于零且小于约二。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，间隔位于所述保护环的所述通孔和所述内侧壁之间，所述间隔沿所述第二方向，并且所述间隔为约20nm至约50nm。

9.一种半导体布置，包括：

第一半导体结构；

第二半导体结构；

导电结构，穿过所述第一半导体结构延伸至所述第二半导体结构，其中，所述导电结构连接所述第一半导体结构和所述第二半导体结构；以及

互连结构的堆叠件，所述互连结构的堆叠件在所述导电结构周围形成环，其中，所述互连结构之间的重叠部分小于约10nm。

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

在半导体衬底的第一侧上方形成后段制程(BEOL)结构，其中，所述后段制程结构包括设置在介电层中的图案化金属层，并且所述半导体衬底具有与所述第一侧相对的第二侧；

在形成所述后段制程结构的同时形成互连结构的堆叠件，其中，所述互连结构的堆叠件形成限定所述介电层的区域的环，并且所述互连结构之间的重叠部分小于约10nm；以及

形成延伸穿过所述介电层的所述区域和所述半导体衬底的导电结构，其中，所述导电结构从所述半导体衬底的所述第一侧延伸至所述半导体衬底的所述第二侧。