[发明专利]用于减少辅助变压器绕组匝数的系统和方法在审
申请号: | 202211035456.2 | 申请日: | 2022-08-26 |
公开(公告)号: | CN115833596A | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 黄秀成;李宾;杜韦静;周云 | 申请(专利权)人: | 纳维达斯半导体有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
代理公司: | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人: | 魏小薇;吴丽丽 |
地址: | 爱尔兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 减少 辅助 变压器 绕组 系统 方法 | ||
1.一种电路,包含:
具有初级绕组、次级绕组和具有第一末端与第二末端辅助绕组的变压器;
具有负极和正极的二极管,所述正极耦合于辅助绕组的第一末端;和
电容器,其具有耦合于辅助绕组第二末端的第一端子和耦合于负极的第二端子。
2.根据权利1要求所述的电路,二极管是第一二极管并且其中电路进一步包含具有第二正极和第二负极的第二二极管,所述第二正极耦合于电容器的第二端子。
3.根据权利要求2所述的电路,还包含具有第三正极和第三负极的第三二极管,所述第三正极耦合于电容器的第一端子。
4.根据权利要求3所述的电路,还包含具有栅极端子、漏极端子和源端子的开关。
5.根据权利要求4所述的电路,其中漏极端子耦合于第二负极并且源端子耦合于第三负极。
6.根据权利要求5所述的电路,其中栅极端子耦合于齐纳二极管。
7.根据权利要求6所述的电路,还包含在栅极端子和第二负极之间耦合的电阻器。
8.根据权利要求4所述的电路,其中开关是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
9.根据权利要求4所述的电路,其中开关是双极结型晶体管(BJT)。
10.一种电路,包含:
具有初级绕组、次级绕组和第一与第二辅助绕组,所述第一辅助绕组具有第一末端和第二末端;
具有负极和正极的二极管,所述正极耦合于第一辅助绕组的第一末端;
电容器,其具有耦合于第一辅助绕组第二末端的第一端子和耦合于负极的第二端子。
11.根据权利要求10所述的电路,其中第二辅助绕组的第一末端耦合于第二辅助绕组。
12.根据权利10要求所述的电路,二极管是第一二极管并且其中电路进一步包含具有第二正极和第二负极的第二二极管,所述第二正极耦合于电容器的第二端子。
13.根据权利要求12所述的电路,还包含具有第三正极和第三负极的第三二极管,所述第三正极耦合于电容器的第一端子。
14.根据权利要求13所述的电路,还包含具有栅极端子、漏极端子和源端子的开关。
15.根据权利要求14所述的电路,其中漏极端子耦合于第二负极并且源端子耦合于第三负极。
16.根据权利要求15所述的电路,其中栅极端子耦合于齐纳二极管。
17.根据权利要求16所述的电路,还包含在栅极端子和第二负极之间耦合的电阻器。
18.根据权利要求14所述的电路,其中开关是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
19.根据权利要求14所述的电路,其中开关是双极结型晶体管(BJT)。
20.根据权利要求15所述的电路,其中电路设置在初级绕组接收输入电压并且在第三负极生成输出电压,输出电压大幅度低于输入电压。
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