[发明专利]一种疏水自清洁吸波电磁膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211031575.0 申请日: 2022-08-26
公开(公告)号: CN115537024A 公开(公告)日: 2022-12-30
发明(设计)人: 朱朋飞;王锋;李勃;张伟喆 申请(专利权)人: 奇遇新材料科技(佛山)有限公司
主分类号: C08L79/04 分类号: C08L79/04;C08L83/04;C08K7/00;C08K3/22;C08K5/5419;C08J5/18;H05K9/00
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 王建宇
地址: 528200 广东省佛山市南海*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 疏水 清洁 电磁 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种疏水自清洁吸波电磁膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)将氰酸酯树脂分散于有机溶剂中,得到初始溶液;

(2)向所述初始溶液中加入铁基材料,混匀,得到混合溶液;

(3)向所述混合溶液中加入低表面能聚合物,混匀,得到浆料;

(4)将所述浆料压延成型,即得到疏水自清洁吸波电磁膜;

其中,所述低表面能聚合物包括氟硅氧烷、聚硅氧烷、氟碳树脂中的一种或多种。

2.如权利要求1所述的疏水自清洁吸波电磁膜的制备方法,其特征在于,所述氰酸酯树脂与有机溶剂的质量比为1:(1-20);

所述氰酸酯树脂与铁基材料的质量比为1:(20-35);

所述低表面能聚合物与浆料的质量比为(0.5-10):100。

3.如权利要求2所述的疏水自清洁吸波电磁膜的制备方法,其特征在于,所述氰酸酯树脂包括双酚A型氰酸酯树脂和四甲基双酚F型氰酸酯树脂,双酚A型氰酸酯树脂和四甲基双酚F型氰酸酯树脂的重量比为(2~3.5):1;

所述氰酸酯树脂与铁基材料的质量比为1:(25-35)。

4.如权利要求2所述的疏水自清洁吸波电磁膜的制备方法,其特征在于,所述低表面能聚合物包括氟硅氧烷和聚硅氧烷,氟硅氧烷和聚硅氧烷的重量比为(1.5-2):1。

5.如权利要求3所述的疏水自清洁吸波电磁膜的制备方法,其特征在于,所述氟硅氧烷选用十七氟癸基三甲氧基硅烷和/或三氟丙基甲基环三硅氧烷;所述聚硅氧烷选用甲基苯基硅油和/或甲基乙氧基硅油。

6.如权利要求5所述的疏水自清洁吸波电磁膜的制备方法,其特征在于,所述氟硅氧烷选用十七氟癸基三甲氧基硅烷;所述聚硅氧烷选用甲基苯基硅油。

7.如权利要求1所述的疏水自清洁吸波电磁膜的制备方法,其特征在于,步骤(2)包括:

(2.1)将所述浆料在50℃~80℃下预热20~50min;

(2.2)将预热后的浆料压延成型。

8.如权利要求1所述的疏水自清洁吸波电磁膜的制备方法,其特征在于,所述铁基材料包括片状或球状的铁氧体。

9.如权利要求1所述的疏水自清洁吸波电磁膜的制备方法,其特征在于,所述有机溶剂为丙酮、丁酮、氯仿、四氢呋喃、二甲苯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、正丙醇、异丙醇、正辛醇中的一种或多种。

10.一种疏水自清洁吸波电磁膜,其特征在于,由权利要求1-9任一项所述的疏水自清洁吸波电磁膜的制备方法制得。

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