[发明专利]用于反应器系统的密封系统在审
| 申请号: | 202211030917.7 | 申请日: | 2022-08-26 |
| 公开(公告)号: | CN115732360A | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
| 发明(设计)人: | T.菲茨杰拉德;R.雷恩;J.温克勒;A.金蒂;T.R.邓恩 | 申请(专利权)人: | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 反应器 系统 密封 | ||
1.一种反应室,包括:
封闭在反应室内的反应室容积;
基座,其配置成支撑设置在反应室容积中的衬底,基座配置成在反应室内沿轴线上下平移;
反应室容积内基座上方的反应空间;
反应室容积内基座下方的下室空间;以及
密封系统,其使反应空间和下室空间至少部分流体分离,其中密封系统包括:
围绕基座的隔板,其中基座耦合到隔板;和
耦合到隔板和基座的弹簧,该弹簧具有朝向压缩位置或延伸位置的弹簧偏压,使得弹簧偏压有助于在隔板和基座之间产生至少部分密封,当基座在反应室内上下移动时,引起反应空间和下室空间之间的至少部分流体分离。
2.根据权利要求1所述的反应室,其中,所述密封系统还包括围绕所述基座设置且设置在所述基座和隔板之间的流量控制环,其中,所述弹簧设置在流量控制环和隔板之间,使得弹簧通过流量控制环耦合到基座,其中隔板和基座之间的至少部分密封由流量控制环和隔板之间的弹簧偏压促进。
3.根据权利要求2所述的反应室,其中,所述弹簧设置在所述流量控制环的朝上表面和所述隔板的朝下表面之间。
4.根据权利要求3所述的反应室,其中,所述弹簧被偏压朝向延伸位置,使得来自弹簧的向下力被施加到所述流量控制环,从而在所述基座上产生向下力,使得在流量控制环和基座之间形成至少部分密封,在所述反应空间和下室空间之间形成至少部分流体分离。
5.根据权利要求2所述的反应室,其中,所述弹簧在所述弹簧和隔板之间以及在所述弹簧和流量控制环之间形成至少部分密封。
6.根据权利要求5所述的反应室,其中,所述弹簧固定耦合到所述隔板或流量控制环中的至少一个。
7.根据权利要求2所述的反应室,其中,所述弹簧围绕所述基座,其中弹簧包括具有至少一个卷曲的横截面形状。
8.根据权利要求7所述的反应室,其中,所述弹簧的横截面形状包括具有三个卷曲的E形。
9.根据权利要求2所述的反应室,其中,所述弹簧设置在围绕所述基座的第一点处,其中,所述反应室还包括设置在围绕基座的第二点处的第二弹簧,使得由弹簧产生的基座上的力出现在多个点处。
10.根据权利要求2所述的反应室,还包括设置在反应空间中的基座上方的气体分配装置,其中,所述弹簧允许将基座和气体分配装置之间的距离调整达9毫米,同时仍保持所述反应空间和下室空间之间的至少部分流体分离。
11.根据权利要求2所述的反应室,其中,所述弹簧包括金属或金属合金中的至少一种。
12.根据权利要求11所述的反应室,其中,所述弹簧包括不锈钢或镍合金中的至少一种。
13.一种反应器系统,包括权利要求1-12中任一项所述的反应室。
14.根据权利要求13所述的反应器系统,还包括与所述下室空间流体连通的真空源。
15.一种方法,包括:
将反应室中的基座从第一位置向上平移到第二位置;
响应于移动基座,在耦合在基座和隔板之间的弹簧上施加力,其中弹簧具有朝向压缩位置或延伸位置的弹簧偏压;以及
响应于在弹簧上施加力,在移动基座期间,保持隔板和基座之间的至少部分密封,使得在反应室中的基座上方的反应空间和基座下方的下室空间之间具有至少部分流体分离。
16.根据权利要求15所述的方法,进一步包括:
通过所述弹簧偏压在所述基座上产生向下力,从而有助于所述反应空间和下室空间之间的至少部分流体分离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





