[发明专利]堆叠晶片和半导体装置组合件的晶片对准

权利要求书

1.一种半导体装置组合件，其包括：

第一半导体晶片，其具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，所述第一半导体晶片包含：

处于所述第一侧的第一多个半导体装置，

从所述第二侧朝向所述第一侧延伸的多个非金属通孔，以及

多个对准标记，每个对准标记与所述多个非金属通孔中对应的一或多者竖直对准；

第二半导体晶片，其包含第二多个半导体装置和多个叠合标记，所述多个叠合标记中的每一者与所述多个对准标记中对应的一或多者竖直对准。

2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述多个叠合标记在400到700nm范围内的波长频谱中通过所述多个非金属通孔可见。

3.根据权利要求2所述的半导体装置组合件，其中所述多个非金属通孔中的每一者的周边与所述多个叠合标记中对应的一或多者的至少一部分重叠。

4.根据权利要求2所述的半导体装置组合件，其中所述多个非金属通孔中的每一者的周边与所述多个叠合标记中所述对应的一或多者中的每一者的周边重叠。

5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述多个非金属通孔中的每一者的周边与所述多个对准标记中对应的一者的周边重叠。

6.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述多个对准标记中的至少一者形成于所述第一多个半导体装置的与所述第一半导体晶片的所述第一侧相对的表面处，且处于所述第一多个半导体装置中的一者的覆盖区内。

7.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述多个对准标记形成于所述第一半导体晶片的所述第二侧上。

8.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述多个非金属通孔中的至少一者形成于所述第一多个半导体装置中的一者的覆盖区内。

9.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中沿着所述多个对准标记中的每一者的周边形成所述多个非金属通孔中的一或多者。

10.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述多个非金属通孔填充有选自环氧树脂、碳化硅、氧化硅、二氧化硅或其组合中的一者的材料。

11.一种制作半导体装置组合件的方法，其包括：

在第一半导体晶片的第一侧形成第一多个半导体装置；

形成从所述第一半导体晶片的第二侧朝向所述第一侧延伸的多个非金属通孔，其中所述第二侧与所述第一侧相对；

形成多个对准标记，每个对准标记与所述多个非金属通孔中对应的一或多者竖直对准；

在第二半导体晶片上形成第二多个半导体装置和多个叠合标记；以及

将所述第一半导体晶片与所述第二半导体晶片对准，使得所述多个叠合标记中的每一者与所述多个对准标记中对应的一或多者竖直对准。

12.根据权利要求11所述的方法，其中将所述第一半导体晶片与所述第二半导体晶片对准包括在400到700nm范围内的波长频谱中通过所述多个非金属通孔中的一或多者查看所述多个叠合标记中的一或多者。

13.根据权利要求11所述的方法，其中将所述第一半导体晶片与所述第二半导体晶片对准包括对准所述多个非金属通孔中的每一者的周边以与所述多个叠合标记中的每一者的周边的部分重叠。

14.根据权利要求11所述的方法，其中将所述第一半导体晶片与所述第二半导体晶片对准包括对准所述多个非金属通孔中的每一者的周边以与所述多个叠合标记中的每一者的周边重叠。

15.根据权利要求11所述的方法，其中将所述第一半导体晶片与所述第二半导体晶片对准进一步包括对准所述多个非金属通孔中的每一者的周边以与所述多个对准标记中的每一者的周边重叠。