[发明专利]具有压电隔膜作为高音扬声器的双向集成式扬声器

权利要求书

1.一种设备，包括：

动圈式微型扬声器，所述动圈式微型扬声器包括：

隔膜，所述隔膜被配置为从音频信号源产生低频信号；

压电换能器，所述压电换能器耦合到所述隔膜并且被配置为从所述音频信号源产生高频信号；和

耦合器，所述耦合器被配置为将所述隔膜耦合到所述设备的壳体。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述隔膜包括金属隔膜，并且其中所述金属隔膜由铝制成。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述压电换能器包括由钛酸铅锆(PZT)薄膜制成的压电盘，并且其中所述压电盘结合到所述隔膜。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述压电盘的厚度在约50-150μm的范围内，并且其中所述压电盘形成在所述隔膜上。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述压电换能器的面积小于所述隔膜的面积。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述压电换能器包括由PZT薄膜制成的压电环，并且其中所述压电环结合到所述隔膜。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述压电环的厚度在约50-150μm的范围内，并且其中所述压电环形成在所述隔膜上。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述压电换能器经由导电迹线从所述音频信号源接收所述高频信号。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述动圈式微型扬声器还包括音圈，所述音圈被配置为从所述音频信号源接收所述低频信号。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述音圈被配置为在磁体的腔内移动，并且其中所述设备还包括磁性地耦合到所述音圈的次级线圈。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述磁体和所述音圈组装在所述壳体内，其中所述次级线圈的端子耦合到衬底和镀覆层，并且其中所述压电换能器夹置在所述衬底与所述镀覆层之间。

12.一种方法，包括：

将隔膜耦合到音圈以响应于从连接到设备的音频信号源接收到低频音频信号来产生低频音频波；

将压电换能器耦合到所述隔膜以响应于从所述音频信号源接收到高频音频信号来产生高频音频波；以及

将所述隔膜耦合到所述设备的壳体。

13.根据权利要求12所述的方法，其中将所述压电换能器耦合到所述隔膜包括将由钛酸铅锆(PZT)薄膜制成的压电盘耦合到由金属制成的所述隔膜，其中所述金属包括铝。

14.根据权利要求12所述的方法，其中将所述压电换能器耦合到所述隔膜包括在所述隔膜上形成所述压电换能器或将所述压电换能器结合到所述隔膜中的一者。

15.根据权利要求12所述的方法，其中将所述压电换能器耦合到所述隔膜包括将由PZT薄膜制成的压电环耦合到由金属制成的所述隔膜，其中所述金属包括铝。

16.根据权利要求12所述的方法，还包括配置所述音圈以在磁体的腔内移动。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括：

将所述音圈连同次级线圈和所述磁体组装在所述设备的所述壳体内，以及

将所述压电换能器堆叠在镀覆层与衬底之间，以及

将所述次级线圈的端子耦合到所述镀覆层和所述衬底。

18.根据权利要求12所述的方法，还包括配置所述压电换能器以经由形成在所述隔膜上的导电迹线从所述音频信号源接收高频音频信号。