[发明专利]启用暂停命令的存储器装置中的擦除操作的选择性管理

说明书

本公开涉及启用暂停命令的存储器装置中的擦除操作的选择性管理。一种存储器装置包含存储器单元的存储器阵列和以操作方式与所述存储器阵列耦合的控制逻辑。所述控制逻辑用于执行包含以下的操作：通过将擦除脉冲施加到所述存储器阵列的一或多个子块来发起真擦除子操作；在所述存储器阵列的存储器线朝向所述擦除脉冲的擦除电压斜升的时间周期期间，跟踪从处理装置接收到的暂停命令的数目；响应于接收到每个暂停命令，暂停所述真擦除子操作，以启用非擦除存储器操作的执行；以及响应于暂停命令的所述数目满足阈值标准，警告所述处理装置终止发送暂停命令，直到所述真擦除子操作完成之后。

技术领域

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更确切地说，涉及启用暂停命令的存储器装置中的擦除操作的选择性管理。

背景技术

存储器子系统可包含一或多个存储数据的存储器装置。存储器装置可以是例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。大体来说，主机系统可利用存储器子系统，将数据存储在存储器装置处并从存储器装置检索数据。

发明内容

本公开的一方面涉及一种存储器装置，其包括：包括存储器单元的存储器阵列；以及以操作方式与所述存储器阵列耦合的控制逻辑，所述控制逻辑执行包括以下的操作：通过将擦除脉冲施加到所述存储器阵列的一或多个子块来发起真擦除子操作；在所述存储器阵列的存储器线朝向所述擦除脉冲的擦除电压斜升的时间周期期间，跟踪从处理装置接收到的暂停命令的数目；响应于接收到每个暂停命令，暂停所述真擦除子操作，以启用非擦除存储器操作的执行；以及响应于暂停命令的所述数目满足阈值标准，警告所述处理装置终止发送暂停命令，直到所述真擦除子操作完成之后。

本公开的另一方面涉及一种存储器装置，其包括：包括存储器单元的存储器阵列；以及以操作方式与所述存储器阵列耦合的控制逻辑，所述控制逻辑执行包括以下的操作：通过将擦除脉冲施加到所述存储器阵列的一或多个子块来发起真擦除子操作，其中所述一或多个子块的存储器单元响应于所述一或多个子块的存储器线达到所述擦除脉冲的擦除电压而开始擦除；在所述真擦除子操作期间跟踪从处理装置接收到的暂停命令的数目，包含在所述存储器单元正被擦除时接收到的暂停命令；响应于接收到每个暂停命令，暂停所述真擦除子操作，以启用非擦除存储器操作的执行；以及响应于暂停命令的所述数目满足阈值标准，警告所述处理装置终止发送暂停命令，使得在接收到其它暂停命令之前，所述存储器单元可被完全擦除。

本公开的又一方面涉及一种方法，其包括：通过将擦除脉冲施加到存储器阵列的一或多个子块，由存储器装置的控制逻辑发起真擦除子操作；在所述存储器阵列的存储器线朝向所述擦除脉冲的擦除电压斜升的时间周期期间，由所述控制逻辑跟踪从处理装置接收到的暂停命令的数目；响应于接收到每个暂停命令，暂停所述真擦除子操作，以启用非擦除存储器操作的执行；以及响应于暂停命令的所述数目满足阈值标准，警告所述处理装置终止发送暂停命令，直到所述真擦除子操作完成之后。

附图说明

根据下文提供的详细描述和本公开的一些实施例的附图将更加全面地理解本公开。

图1A示出根据一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。

图1B是根据实施例的与存储器子系统的存储器子系统控制器通信的存储器装置的框图。

图2A-2C是根据实施例的可用于参考图1B所述类型的存储器的存储器单元阵列的部分的示意图。

图3是根据实施例的可用于参考图1B所述类型的存储器的存储器单元阵列的一部分的示意框图。

图4是根据实施例的擦除脉冲的简化电压波形图。

图5A是根据一些实施例的存储器阵列的(例如，存储器单元块的)指定存储器单元群组的擦除操作的经修改流程图。

图5B是根据一些实施例的由于多个暂停命令而施加到存储器单元群组的多个擦除脉冲的电压波形图。