[发明专利]半导体加工装置

权利要求书

1.一种半导体加工装置，其特征在于，包括：

主腔体，包括设置于内部且一端开口的内腔体；

传片腔体，设置于所述主腔体侧壁，并与所述内腔体相通，所述传片腔体沿传片方向的两端开口；

喷淋部，设置于所述内腔体的顶部，与所述内腔体围成工艺腔体；

所述传片腔体包括沿所述传片方向延伸并相对的传片顶板和传片底板，所述传片顶板靠近所述喷淋部，并开设有传片进气端口；

所述喷淋部包括喷淋孔板以及围设于所述喷淋孔板底面的喷淋导气部，所述喷淋孔板、所述内腔体和所述喷淋导气部围成围设于所述工艺腔体外侧壁的集气通道；

所述喷淋导气部侧壁设置有喷淋导气通道，所述工艺腔体和所述集气通道通过所述喷淋导气通道相通；

抽气通道，设置于所述主腔体，并与所述集气通道相通；

抽气部，设置于所述主腔体外，并与所述抽气通道连通。

2.根据权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，还包括传片进气部，所述传片进气部的进气端与所述传片进气端口相对设置，以向所述传片腔体内引入吹扫气体。

3.根据权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，还包括传片进气部，所述传片腔体的外壁绕轴线方向设有传片导气结构，所述传片导气结构与所述传片进气端口交汇，并与所述主腔体围成传片导气通道，所述传片进气部的进气端与所述传片导气通道相通。

4.根据权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，还包括传片进气部，所述主腔体包括与所述传片腔体外壁对应贴合的腔体内壁，所述腔体内壁设置有主腔导气结构，所述主腔导气结构与所述传片腔体的外壁围成传片导气通道，所述传片进气部的进气端与所述传片导气通道相通。

5.根据权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，所述内腔体包括靠近所述喷淋部的顶部衬套和远离所述喷淋部的底部衬套，所述顶部衬套和所述喷淋部围成所述集气通道，所述喷淋部、所述顶部衬套以及所述底部衬套围成所述工艺腔体。

6.根据权利要求5所述的半导体加工装置，其特征在于，所述喷淋孔板、所述顶部衬套和所述喷淋导气部围成所述集气通道。

7.根据权利要求6所述的半导体加工装置，其特征在于，还包括活动设置于所述底部衬套内的承载结构以朝向或远离所述喷淋部运动，当所述承载结构朝向所述喷淋部运动至工艺位置，所述喷淋导气通道靠近所述喷淋部的一端低于所述承载结构的顶面。

8.根据权利要求6所述的半导体加工装置，其特征在于，所述导气通道还包括位于所述顶部衬套和所述底部衬套之间，且与所述抽气通道相通的侧部导气通道。

9.根据权利要求8所述的半导体加工装置，其特征在于，还包括活动设置于所述内腔体的承载结构以朝向或远离所述喷淋部运动，当所述承载结构朝向所述喷淋部运动至工艺位置，所述侧部导气通道与所述承载结构的顶部外侧壁相对。

10.根据权利要求9所述的半导体加工装置，其特征在于，当所述侧部导气通道与所述承载结构的顶部外侧壁相对，所述顶部衬套的底部内侧壁和所述底部衬套的顶部内侧壁与所述承载结构的顶部外侧壁之间的间距均为0.5毫米-2.5毫米。

11.根据权利要求5所述的半导体加工装置，其特征在于，还包括设置于所述主腔体底部，并与所述底部衬套内部相通的底部导气部。

12.根据权利要求11所述的半导体加工装置，其特征在于，所述底部导气部包括设置于所述主腔体底部并与外部相通的底部导气通道，以及设置于所述底部衬套内，并与所述底部导气通道相通的分气结构，以使气体在所述主腔体内外流通。

13.根据权利要求12所述的半导体加工装置，其特征在于，所述分气结构包括分气孔板，所述分气孔板与所述底部衬套围成分气腔，所述底部导气通道与所述分气腔相通。