[发明专利]一种瞬态电子用快速自损模块在审

专利信息
申请号: 202211022040.7 申请日: 2022-08-24
公开(公告)号: CN115555386A 公开(公告)日: 2023-01-03
发明(设计)人: 王少熙;张泽鑫 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: B09B3/70 分类号: B09B3/70;B09B101/15
代理公司: 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 代理人: 云燕春
地址: 71007*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 瞬态 电子 快速 模块
【说明书】:

发明一种瞬态电子用快速自损模块,属于瞬态电子技术领域;模块内设置有储水腔、电解水腔、粉末腔、腐蚀液出口、电极和电源;所述储水腔用于容纳水溶液,电解水腔用于容纳电解水,两个腔体之间设置有气体通道;所述粉末腔用于容纳酸、碱粉末,与水溶液混合能够形成腐蚀性溶液;粉末腔与储水腔之间设置有隔绝膜,所述隔绝膜能够由气体撑破;所述腐蚀液出口连通粉末腔,朝向芯片表面;所述电极与电解水腔连通;由电源控制电极通电后,电解水产生氢气和氧气,气体通过电解水腔与储水腔之间的气体通道进入储水腔,储水腔室内气体压强增大将隔绝膜挤破,水溶液流入粉末腔并溶解酸、碱粉末形成腐蚀性溶液,由腐蚀液出口流至芯片表面,实现腐蚀销毁。

技术领域

本发明属于瞬态电子技术领域,具体涉及一种瞬态电子用快速自损模块。

背景技术

瞬态电子,一种能解决数码产品环保问题的技术,应用该技术的产品在报废时启动相关装置可以自然分解,甚至能被人体吸收。该技术已被延伸到医疗领域,用于高温消毒伤口,避免细菌感染。

目前绝大部分瞬态器件的降解机理为整体降解,这一降解过程往往使器件没有完全降解前就失去功能,且目前研究的瞬态器件机理难以与金属氧化物半导体(CMOS)芯片及其加工工艺相兼容,难以满足大量使用CMOS芯片的信息安全、特种情报等领域的瞬态自损毁需求,为此,我们设计了一种瞬态电子用快速自损模块。

发明内容

要解决的技术问题:

为了避免现有技术的不足之处,本发明提供一种瞬态电子用快速自损模块,通过电极、电解水腔、储水腔和隔绝膜之间的配合,在电极的作用下,所产生的气体撑破隔绝膜,腐蚀性液体对硅片腐蚀。

本发明的技术方案是:一种瞬态电子用快速自损模块,模块内设置有储水腔、电解水腔、粉末腔、腐蚀液出口、电极和电源;

所述储水腔用于容纳水溶液,电解水腔用于容纳电解水,两个腔体之间设置有气体通道;

所述粉末腔用于容纳酸、碱粉末,与水溶液混合能够形成腐蚀性溶液;粉末腔与储水腔之间设置有隔绝膜,所述隔绝膜能够由气体撑破;

所述腐蚀液出口连通粉末腔,朝向芯片表面;

所述电极与电解水腔连通;由电源控制电极通电后,电解水产生氢气和氧气,气体通过电解水腔与储水腔之间的气体通道进入储水腔,储水腔室内气体压强增大将隔绝膜挤破,水溶液流入粉末腔并溶解酸、碱粉末形成腐蚀性溶液,由腐蚀液出口流至芯片表面,实现腐蚀销毁。

本发明的进一步技术方案是:所述模块包括从上到下依次排布的上层板、中层板和下层板;

所述上层板内部开设有储水腔和气体通道;所述储水腔底部开口通过隔绝膜封闭;所述气体通道的入口是开于上层板下表面的气孔,其出口与储水腔连通;

所述中层板内部开设有电解水腔、过渡腔、粉末腔和腐蚀液出口;所述电解水腔与上层板的气孔连通;所述过渡腔与储水腔位置相对,并由隔绝膜分隔为独立的腔体;所述粉末腔的入口通过凹槽与过渡腔连通,其出口通过通槽于腐蚀液出口连通;

所述下层板设有电极和电源,电极与电解水腔位置相对;所述电源通过电线与电极连接。

本发明的进一步技术方案是:所述储水腔、电解水腔、过渡腔、粉末腔、腐蚀液出口、电极的数量均为三个,分别为等间距设置,构成三组腐蚀销毁系统。

本发明的进一步技术方案是:所述储水腔位于上层板的中部;所述气孔位于上层板的左侧,与位于中层板左侧的电解水腔相连通。

本发明的进一步技术方案是:所述过渡腔设置于中层板的中部,与粉末腔相邻。

本发明的进一步技术方案是:所述粉末腔呈四边形结构,位于中层板的内部,且位于过渡腔和腐蚀液出口之间。

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