[发明专利]一种电池保护电路及系统在审
申请号: | 202211020610.9 | 申请日: | 2022-08-24 |
公开(公告)号: | CN115459378A | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 王钊 | 申请(专利权)人: | 无锡中感微电子股份有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H02H7/18 |
代理公司: | 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 | 代理人: | 庞聪雅 |
地址: | 214135 江苏省无锡市清源路18号*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电池 保护 电路 系统 | ||
本发明提供一种电池保护电路及系统,电池保护电路包括第一检测端VDD、第二检测端VM和第三检测端G、与放电功率开关的控制端相连的放电控制端DO和与充电功率开关的控制端相连的充电控制端CO,其中,所述放电功率开关和充电功率开关合称为充放电开关,所述第一检测端VDD与电芯的正极相连,所述第二检测端VM与电池的正极P+相连,所述第三检测端G与所述电芯的负极相连;所述放电功率开关和充电功率开关连接于所述第一检测端VDD和第二检测端VM之间。与现有技术相比,本发明可以采用无需承受负电压的工艺制造电池保护电路,同时实现电池保护电路与系统应用中其他芯片可以共地。
【技术领域】
本发明涉及电路设计领域,特别涉及一种采用高侧NMOS开关构建的电池保护电路及系统。
【背景技术】
现有技术中,一般采用低侧NMOS开关构建电池保护电路,请参考图1所示,其为现有技术中的一种电池保护系统的电路示意图。图1所示的电池保护系统包括电芯BAT1、电池保护电路(或电池保护芯片)110、充电功率开关(或充电功率管)FET2、放电功率开关(或放电功率管)FET1和电阻R1。其中,电池保护电路110为采用低侧NMOS开关构建的电池保护电路,这种方式的缺点是,电池保护电路(或电池保护芯片)110需要能承受负电压的工艺制造,采用这种能承受负电压的工艺需要更高成本。另外会导致电池保护电路(或电池保护芯片)110与系统应用中其他芯片不共地,这样不利于传输信号。
因此,有必要提出一种改进的技术方案来克服上述问题。
【发明内容】
本发明的目的之一在于提供一种电池保护电路及系统,其可以采用无需承受负电压的工艺制造电池保护电路(或电池保护芯片),同时实现电池保护电路(或电池保护芯片)与系统应用中其他芯片可以共地。
根据本发明的一个方面,本发明提供一种电池保护电路,其包括第一检测端VDD、第二检测端VM和第三检测端G、与放电功率开关的控制端相连的放电控制端DO和与充电功率开关的控制端相连的充电控制端CO,其中,所述放电功率开关和充电功率开关合称为充放电开关,所述第一检测端VDD与电芯的正极相连,所述第二检测端VM与电池的正极P+相连,所述第三检测端G与所述电芯的负极相连;所述放电功率开关和充电功率开关连接于所述第一检测端VDD和第二检测端VM之间。
根据本发明的另一个方面,本发明提供一种电池保护系统,其包括:电芯;
充电功率开关和放电功率开关,所述放电功率开关和充电功率开关合称为充放电开关;电池保护电路,其包括第一检测端VDD、第二检测端VM和第三检测端G、与放电功率开关的控制端相连的放电控制端DO和与充电功率开关的控制端相连的充电控制端CO,其中,所述放电功率开关和充电功率开关合称为充放电开关,所述第一检测端VDD与电芯的正极相连,所述第二检测端VM与电池的正极P+相连,所述第三检测端G与所述电芯的负极相连;所述放电功率开关和充电功率开关连接于所述第一检测端VDD和第二检测端VM之间。与现有技术相比,本发明采用高侧NMOS开关构建电池保护电路及系统,从而可以采用无需承受负电压的工艺制造电池保护电路(或称电池保护芯片),同时实现电池保护电路(或称电池保护芯片)与系统应用中其他芯片可以共地。此外,本发明的目的还在于实现高精度的电流检测。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。其中:
图1为现有技术中的一种电池保护系统的电路示意图;
图2为本发明中的电池保护系统在一个实施例中的电路示意图;
图3为本发明在一个实施例中如图2所示的电池保护电路的电路示意图;
图4为本发明在一个实施例中如图3所示的虚地调压器VGR的电路示意图;
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