[发明专利]一种基于MoSi2

权利要求书

1.一种基于MoSi₂N₄单层的纳米二极管器件，其特征在于：所述纳米二极管器件是基于MoSi₂N₄材料的单层结构，在其两端分别进行P型半导体掺杂和N型半导体掺杂，并保留中间区为其本征结构，构造成MoSi₂N₄单层的PN结结构，并在其两端分别施加漏极电极和源极电极，构造成PN结纳米二极管器件。

2.根据权利要求1所述的基于MoSi₂N₄单层的纳米二极管器件，其特征在于：当向PN结纳米二极管器件施加正向D−S偏压时，会产生从漏极电极到源极电极的正向电流，当向PN结纳米二极管器件施加反向S−D偏压时，会产生从源极电极到漏极电极的反向电流，该PN结纳米二极管器件呈现出强整流效应，且具有高整流比并表现出强的电各向异性，其整流比高达10⁶。