[发明专利]一种线路板的制备工艺

权利要求书

1.一种线路板的制备工艺，其特征在于步骤如下：

1)、基板下料，基板在厚度方向上具有中间绝缘层、位于中间绝缘层两侧的导电体层；

2)、钻孔、减铜，在基板之需要层间导通的位置钻孔，并去除或减薄上述的导电体层；

3)、沉积种子层，在去除导电体层后的基板两面沉积导体种子层，在减薄导电体层后的基板两面选择性地沉积导体种子层；

4)、压膜，在导体种子层两面或减薄导电体层后的基板两面贴上光刻胶；

5)、曝光、显影，先对非线路图形区域的光刻胶进行曝光，然后溶解未曝光区域的光刻胶；

6)、电镀，在溶解之后的未曝光区域光刻胶的位置进行电镀而形成双层的第一线路，并镀孔导通层间线路；

7)、去膜，去除步骤5)中已曝光的光刻胶；

8)、去种子层，去除露于第一线路之外的导体种子层；

9)、压合，将导体层通过绝缘材料粘结到第一线路的两面；

10)、减铜，当导体层为厚度大于12μm的厚层时，去除导体层而露出绝缘材料层、或减薄导体层；反之当导体层为薄层时，可直接跳过本步骤；

11)、镭射，在需要层间导通的位置钻孔而得到中间体；

12)、沉积种子层，在中间体两面以及钻孔的孔壁处沉积导体种子层；

13)、压膜，在步骤12)之导体种子层两面贴上光刻胶；

14)、曝光、显影，先对非线路图形区域的光刻胶进行曝光，然后溶解未曝光区域的光刻胶；

15)、电镀填孔，在步骤14)溶解之后的未曝光区域光刻胶的位置电镀而形成位于第一线路两侧的双层第二线路，从而制得四层结构的线路板，且第二线路与第一线路在步骤11)的钻孔处相导通；

16)、去膜，去除步骤14)中已曝光的光刻胶；

17)、去种子层，去除露于第二线路之外的导体种子层；

18)、阻焊制作。

2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：所述基板的导电体层为厚度13～36μm的铜箔或厚度12～18μm的铜箔；

或所述基板的导电体层包括有位于中间绝缘层两侧的薄铜层、位于薄铜层两侧的厚铜层，所述薄铜层的厚度为2～5μm，所述厚铜层的厚度为18μm，厚铜层与薄铜层之间可分离。

3.根据权利要求2所述的制备工艺，其特征在于：当所述基板的导电体层为厚度13～36μm的铜箔时，所述步骤2)中先钻孔，再去除导电体层；

当所述基板的导电体层为厚度12～18μm的铜箔时，所述步骤2)中先减薄导电体层至3～5μm，再钻孔；

当所述基板的导电体层包括上述的薄铜层、厚铜层时，所述步骤2)中先钻孔，再剥离厚铜层。

4.根据权利要求3所述的制备工艺，其特征在于：所述步骤2)中钻孔为通孔，并通过机械钻孔得到。

5.根据权利要求2所述的制备工艺，其特征在于：当所述基板的导电体层包括上述的薄铜层、厚铜层时，所述步骤2)剥离厚铜层后跳过步骤3)直接进入步骤4)。

6.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：所述步骤9)中导体层为厚度13～36μm的铜箔、或为厚度12～18μm的铜箔或为厚度2～5μm的铜箔；

当所述导体层为厚度13～36μm的铜箔时，所述步骤10)中去除导体层而露出绝缘材料层；

当所述导体层为厚度12～18μm的铜箔时，所述步骤10)中减薄导体层至3～5μm；

当所述导体层为厚度2～5μm的铜箔时，直接跳过步骤10)并进入步骤11)。

7.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：所述步骤3)、12)中导体种子层的材质为钛、铜、镍或其中至少两种的合金；

在所述导体种子层的材质为铜时，所述步骤8)、17)中采用微蚀、减铜或闪蚀工艺去除导体种子层；在所述导体种子层的材质为钛时，所述步骤8)、17)中采用除钛工艺去除导体种子层。

8.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：所述步骤11)中钻孔为盲孔，并通过激光钻孔得到。