[发明专利]一种半导体多层膜体系膜-膜间界面光吸收率的测试方法

权利要求书

1.一种半导体多层膜体系膜-膜间界面光吸收率的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

构建参考膜，所述参考膜包括：第一基底以及位于所述第一基底上相互叠加的第一高折射率薄膜、第一低折射率薄膜；

构建对比膜，所述对比膜包括：第二基底以及位于所述第二基底上多个相互依次交错设置的第二高折射率薄膜、第二低折射率薄膜；

所述第一高折射率薄膜、所述第二高折射率薄膜所用的材料相同；所述第一低折射率薄膜、所述第二低折射率薄膜所用的材料相同；

所述第一基底、所述第二基底的厚度以及所用的材料均相同；

所述第一高折射率薄膜的厚度等于多个第二高折射率薄膜的厚度之和；

所述第一低折射率薄膜的厚度等于多个第二低折射率薄膜的厚度之和；

测试所述参考膜在中心波长下的光吸收率；

测试所述对比膜在中心波长下的光吸收率；

将对比膜中光吸收率减去参考膜光吸收率，得到光吸收率差值；

将所述对比膜中第二高折射率薄膜、第二低折射率薄膜的界面层数减去所述参考膜中第一高折射率薄膜与第一低折射率薄膜的界面层数，得到界面层数差值；

将光吸收率差值除以界面层数差值即得膜-膜间界面光吸收率。

2.如权利要求1所述的半导体多层膜体系膜-膜间界面光吸收率的测试方法，其特征在于，所述第二高折射率薄膜的厚度为第二高折射率薄膜的1/2波长的光学厚度。

3.如权利要求1所述的半导体多层膜体系膜-膜间界面光吸收率的测试方法，其特征在于，所述第二低折射率薄膜的厚度为第二低折射率薄膜的1/2波长的光学厚度。

4.如权利要求1所述的半导体多层膜体系膜-膜间界面光吸收率的测试方法，其特征在于，所述第一高折射率薄膜、所述第二高折射率薄膜所用的材料包括Ta₂O₅、Ti₃O₅、TiO₂、ZnS中的任一种。

5.如权利要求1所述的半导体多层膜体系膜-膜间界面光吸收率的测试方法，其特征在于，所述第一低折射率薄膜、第二低折射率薄膜所用的材料包括SiO₂、Al₂O₃、MgF₂中的任一种。

6.如权利要求4所述的半导体多层膜体系膜-膜间界面光吸收率的测试方法，其特征在于，所述第一高折射率薄膜、所述第二高折射率薄膜所用的材料为TiO₂，所述第一高折射率薄膜、所述第二高折射率薄膜的折射率为2.53。

7.如权利要求5所述的半导体多层膜体系膜-膜间界面光吸收率的测试方法，其特征在于，所述第一低折射率薄膜、第二低折射率薄膜所用的材料为SiO₂，所述第一低折射率薄膜、第二低折射率薄膜的折射率为1.48。

8.如权利要求1所述的半导体多层膜体系膜-膜间界面光吸收率的测试方法，其特征在于，所述第一基底、所述第二基底均为透明基底。

9.如权利要求1所述的半导体多层膜体系膜-膜间界面光吸收率的测试方法，其特征在于，所述第一基底、所述第二基底所用的材料包括7980玻璃、K9玻璃、氟化钙玻璃、熔融石英中的任一种。