[发明专利]补偿电路元件中的沉积不均匀性

说明书

一种制造诸如量子计算电路元件的电路元件的方法，包括：获得包括表征一个或多个掩模特征的掩模信息的光刻掩模写入文件；获得均匀性函数，该均匀性函数被配置为修改该掩模信息以补偿不均匀的沉积过程；将均匀性函数应用于光刻掩模写入以获得修改的光刻掩模写入文件；和按照修改的光刻掩模写入文件的指示执行光刻。

本申请是以下申请的分案申请：申请号：201780051576.2；申请日：2017年12月01日；发明名称：补偿电路元件中的沉积不均匀性。

技术领域

本公开涉及补偿诸如量子计算电路元件的电路元件中的沉积不均匀性。

背景技术

量子计算是一种相对新的计算方法，它利用量子效应，例如基本状态的叠加和纠缠，以比传统的数字计算机更有效地执行某些计算。与以比特(例如，“1”或“0”)的形式存储和操作信息的数字计算机相比，量子计算系统可以使用量子比特来操作信息。量子比特可以指能够叠加多个状态(例如，“0”和“1”状态中的数据)的量子设备和/或指在多个状态中数据本身的叠加。根据常规术语，在量子系统中的“0”和“1”状态的叠加可以被表示为，例如，α│0+β│1。数字计算机的“0”和“1”状态分别类似于量子比特的│0和│1基础状态。值│α│²表示量子比特处于│0状态的概率，而值│β│²表示量子比特处于│1基础状态的概率。

发明内容

通常，在一个方面，本公开的主题可以被实施在制造电路元件的方法中，该方法包括：获得包括表征一个或多个掩模特征的掩模信息的光刻掩模写入文件；获得均匀性函数，该均匀性函数被配置为修改该掩模信息以补偿不均匀沉积过程；将均匀性函数应用于光刻掩模写入以获得修改的光刻掩模写入文件；和按照修改的光刻掩模写入文件的指示执行光刻。

在一些实施方式中，均匀性函数包括将一个或多个沉积参量的集合映射到不均匀沉积过程的一个或多个几何参数。均匀性函数包括(a)径向分布函数和(b)线性梯度函数中的至少一个。

在一些实施方式中，获得均匀性函数可以包括将来自不均匀沉积过程的沉积数据(例如，至少一个沉积结的电阻分布)映射到一个或多个沉积参量的集合。该一个或多个沉积参量的集合可以包括：沉积角度、沉积材料、沉积旋转、源-至-基板距离、顶层抗蚀剂厚度、和沉积束分布中的至少一个。

在一些实施方式中，光刻掩模写入文件包括用于定义掩模中的图案的几何和曝光时间指令。应用均匀性函数来修改光刻掩模写入文件可以包括修改在光刻掩模写入文件中指定的几何特征和停留时间指令的集合。按照修改的光刻掩模写入文件的指示执行光刻可以包括在掩模上执行光刻。

在一些实施方式中，电路元件是量子电路元件，包括例如约瑟夫森结。

在一些实施方式中，由数据处理装置获得均匀性函数。数据处理装置可以将均匀性函数应用于光刻掩模写入文件，以获得修改的光刻掩模写入文件。

在一些实施方式中，用于制造电路元件的方法包括：将抗蚀剂层沉积到基板上，其中按照所述修改的光刻掩模写入文件的指示，包括按照所述修改的光刻写入文件的指示在抗蚀剂层上执行光刻以制造第一抗蚀剂掩模。可以显影第一抗蚀剂掩模并且以第一沉积角度进行通过第一抗蚀剂掩模的层的第一沉积。可以对第一沉积层进行表面氧化并且可以以第二沉积角度进行通过第一抗蚀剂掩模的第二沉积。然后可以处理第一抗蚀剂掩模和沉积层以剥离第一抗蚀剂掩模和多余的沉积材料以形成电路元件。