[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

有源柱，所述有源柱包括沟道区以及分布于所述沟道区两侧的源漏区；

栅极结构，所述栅极结构至少围绕部分所述沟道区，所述沟道区包括外围部和中心部，所述外围部位于所述栅极结构与所述中心部之间，所述源漏区和所述外围部均具有第一掺杂类型，所述中心部具有第二掺杂类型，所述第一掺杂类型为N型或者P型中的一者，所述第二掺杂类型为N型或者P型中的另一者。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构为全环绕栅极结构；所述外围部全环绕所述中心部，所述栅极结构全环绕所述外围部。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构为局部环绕栅极结构，所述栅极结构环绕所述外围部的部分表面。

4.如权利要求2或3所述的半导体器件，其特征在于，所述有源柱的形状包括圆柱或者长方体柱。

5.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构为半环绕栅极结构；未被所述栅极结构覆盖的所述沟道区露出所述中心部的表面。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述有源柱为长方体柱，所述栅极结构环绕所述有源柱的部分顶面以及相对的部分侧面，所述有源柱的底面露出所述中心部的表面。

7.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构包括：相对设置且相分立的第一栅极结构以及第二栅极结构；所述外围部包括：

第一外围部，所述第一外围部位于所述第一栅极结构和所述中心部之间；

第二外围部，所述第二外围部位于所述第二栅极结构和所述中心部之间。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述外围部的厚度与所述沟道区的厚度比值在0.01-0.95范围内。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述中心部的掺杂浓度为1×10¹⁵atom/cm³～1×10¹⁹atom/cm³。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述外围部的掺杂浓度小于或等于所述源漏区的掺杂浓度。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源漏区的掺杂浓度为1×10¹⁸atom/cm³～1×10²¹atom/cm³；所述外围部的掺杂浓度为1×10¹⁶atom/cm³～1×10²⁰atom/cm³。

12.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在朝向所述中心部的方向上，所述外围部的掺杂浓度逐渐降低。

13.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型，所述栅极结构导电层的功函数大于4.6eV；或者，所述第一掺杂类型为P型，所述栅极结构导电层的功函数小于4.6eV。

14.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供有源柱，在所述有源柱中形成沟道区以及分布于所述沟道区两侧的源漏区；

形成栅极结构，所述栅极结构至少围绕部分所述沟道区，所述沟道区包括外围部和中心部，所述外围部位于所述栅极结构与所述中心部之间，所述源漏区和所述外围部均具有第一掺杂类型，所述中心部具有第二掺杂类型，所述第一掺杂类型为N型或者P型中的一者，所述第二掺杂类型为N型或者P型中的另一者。