[发明专利]Au-In二元纳米助催化剂负载III族氮化物的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种Au-In二元纳米助催化剂负载III族氮化物的制备方法，其特征在于：通过光沉积法在III族金属氮化物上负载AuIn纳米颗粒，具体步骤包括，

将III族金属氮化物置于反应器中，分别加入甘油水溶液和AuIn前驱体，在惰性气体氛围的真空状态下，用光源组件作为光沉积光源，进行照明后，制得AuIn纳米颗粒负载III族金属氮化物光催化剂。

2.根据权利要求1所述的一种Au-In二元纳米助催化剂负载III族氮化物的制备方法，其特征在于：所述AuIn前驱体包括H₂AuCl₄和InCl₃中得任意一种或两种的混合。

3.根据权利要求1所述的一种Au-In二元纳米助催化剂负载III族氮化物的制备方法，其特征在于：所述光源组件包括高压汞灯、黑灯管和氙灯中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的一种Au-In二元纳米助催化剂负载III族氮化物的制备方法，其特征在于：所述照明时间为0.5小时～1小时。

5.根据权利要求1所述的一种Au-In二元纳米助催化剂负载III族氮化物的制备方法，其特征在于：所述III族金属氮化物以硅晶片为衬底，通过分子束外延法，经过生长，制得III族金属氮化物 NWs/Si光催化剂。

6.根据权利要求1所述的一种Au-In二元纳米助催化剂负载III族氮化物的制备方法，其特征在于：所述分子束外延法的生长条件包括5×10^-8 Torr的Ga束等效压力(BEP)和350W的正向等离子体功率。

7.根据权利要求1所述的一种Au-In二元纳米助催化剂负载III族氮化物的制备方法，其特征在于：所述分子束外延法中，使用Ga晶种层来促进Ga极性基面的形成。

8.根据权利要求1所述的一种Au-In二元纳米助催化剂负载III族氮化物的制备方法，其特征在于：所述分子束外延法中，使用氮气形成富氮氛围，所述氮气的流速至少为1.0标准立方厘米每分钟。

9.根据权利要求1所述的一种Au-In二元纳米助催化剂负载III族氮化物的制备方法，其特征在于：所述生长的衬底温度为650℃～750℃。

10.一种Au-In二元纳米助催化剂负载III族氮化物的应用，其特征在于：将由权利要求1的方法制备得到的光催化剂应用于甘油重整制合成的反应中。