[发明专利]一种碳化硅晶圆双面研磨中双面去除量的测定方法及应用在审
| 申请号： | 202210995865.0 | 申请日： | 2022-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN115513080A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 冯玉冰;马宁;王胜;顾仁军;汪世峰;胡俊锋;严芹 | 申请（专利权）人： | 合肥露笑半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海恩凡知识产权代理有限公司 31459 | 代理人： | 汪贺玲 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 双面 研磨 去除 测定 方法 应用 | ||
1.一种碳化硅晶圆双面研磨中双面去除量的测定方法，其特征在于，
包括下述步骤：
(1)待测碳化硅晶圆切割片，进行大角度倒边，所述的大角度大于40°；
(2)测量倒边后的碳化硅晶圆片的双面倒边弧对应弦长度值；
(3)倒边后的碳化硅晶圆片在双面研磨设备上，进行晶圆双面研磨加工；
(4)双面研磨工艺完成后，取下研磨晶圆片，测量研磨后的双面倒边弧对应弦长度值；
(5)根据双面研磨前后倒边弧对应弦长度值，准确计算晶圆双面去除量。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆双面研磨中双面去除量的测定方法，其特征在于：所述步骤(1)中，晶圆倒边大角度为40-120°。
3.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶圆双面研磨中双面去除量的测定方法，其特征在于：晶圆倒边大角度为60°。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种碳化硅晶圆双面研磨中双面去除量的测定方法，其特征在于，包括下述步骤：
(1)测试的碳化硅晶圆切割片，进行大角度倒边，倒边大角度设置为θ＝40-120°；
(2)测量出倒边后的碳化硅晶圆测试片的双面倒边弧对应弦长度值aSi、aC；
(3)倒边后的碳化硅晶圆片在双面研磨设备上，进行晶圆双面研磨加工；
(4)双面研磨工艺完成后，取下研磨晶圆片，测量研磨后的双面倒边弧对应弦长度值bSi、bC；
(5)根据双面研磨前后倒边弧对应弦长度值bSi、bC，准确计算晶圆双面去除量，计算公式如下：
其中，硅面去除量为ESi，碳面去除量为EC。
5.根据权利要求4所述的一种碳化硅晶圆双面研磨中双面去除量的测定方法，其特征在于，包括下述步骤：
(1)测试的碳化硅晶圆切割片，进行大角度倒边，倒边大角度设置为θ＝60°；
(2)测量出倒边后的碳化硅晶圆测试片的双面倒边弧对应弦长度值aSi＝451μm、aC＝453μm；
(3)倒边后的碳化硅晶圆片在双面研磨设备上，进行晶圆双面研磨加工1小时；
(4)双面研磨工艺完成后，取下研磨晶圆片，测量研磨后的双面倒边弧对应弦长度值bSi＝416μm、bC＝405μm；
(5)根据双面研磨前后倒边弧对应弦长度值，准确计算晶圆双面去除量，计算公式如下：
其中，硅面去除量为ESi，碳面去除量为EC。
6.一种碳化硅晶圆双面研磨中双面去除量的测定方法的应用，其特征在于，应用于碳化硅衬底晶圆的两面分别为硅面和碳面的制备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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