[发明专利]一种ZnO-Si p-n结压电器件及其制备方法

权利要求书

1.一种ZnO-Sip-n结压电器件的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：

(1)在具有底部电极的基底表面，通过射频磁控溅射沉积氧化锌种子层，然后于80-90℃条件下，浸入生长液中浸泡5-8h，再清洗和烘干，制得氧化锌种子层上生长的氧化锌纳米棒；

(2)在步骤(1)制得氧化锌纳米棒表面，通过射频磁控溅射沉积p型Si薄膜；

(3)在步骤(2)制得的p型Si薄膜表面，旋涂溶解有聚甲基丙烯酸甲酯的有机溶剂，然后烘干，再沉积银，制得ZnO-Si p-n结压电器件。

2.根据权利要求1所述的ZnO-Sip-n结压电器件的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，底部电极为氧化铟锡。

3.根据权利要求1所述的ZnO-Sip-n结压电器件的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，生长液通过以下方法制得：将六水合硝酸锌和六亚甲基四胺溶于水，制得生长液；其中，生长液中六水合硝酸锌和六亚甲基四胺的浓度均为0.05-0.1mol/L。

4.根据权利要求1所述的ZnO-Sip-n结压电器件的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，射频磁控溅射的条件为：工作压力1.8-2.2Pa，RF功率55-65W，气流量35-45sccm。

5.根据权利要求1所述的ZnO-Sip-n结压电器件的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，沉积p型Si薄膜的前驱物为硼掺杂的硅靶。

6.根据权利要求5所述的ZnO-Sip-n结压电器件的制备方法，其特征在于，硅靶的电阻率为0.01-10Ω·cm。

7.根据权利要求1所述的ZnO-Sip-n结压电器件的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，射频磁控溅射的条件为：工作压力1.2-1.8Pa，RF功率90-110W，气流量28-32sccm。

8.根据权利要求1所述的ZnO-Sip-n结压电器件的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，有机溶剂中聚甲基丙烯酸甲酯的浓度为8-12wt％。

9.根据权利要求1所述的ZnO-Sip-n结压电器件的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，采用真空镀膜，在压强5-10×10^-4Pa和电流100-150A的条件下，沉积银2-4min。

10.根据权利要求1-9任一项所述的ZnO-Si p-n结压电器件的制备方法制得的ZnO-Sip-n结压电器件。