[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成模结构，使得所述模结构包括在第一方向上交替且重复地堆叠的电极间绝缘膜和牺牲膜；

形成在所述第一方向上穿透所述模结构的沟道孔；

在所述沟道孔内形成垂直沟道结构；

去除所述牺牲膜以形成暴露所述垂直沟道结构的沟槽，所述沟槽在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；以及

使用湿沉积工艺形成分别填充所述沟槽的金属线，每个所述金属线形成为单层。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中每个所述沟槽在所述第一方向上的宽度是30nm或更小。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述金属线使用化学镀沉积和电镀沉积中的至少一种形成。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述金属线不包括氟(F)或氯(Cl)。

5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述金属线包括铜、钨、镍、钼、钴和钌中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其中所述金属线由镍形成。

7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，进一步包括形成在所述第一方向上穿透所述模结构的切割线。

8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中每个所述沟槽形成为包括：

暴露所述垂直沟道结构的第一侧，以及

暴露所述电极间绝缘膜中的相应一个的第二侧，所述金属线中的相应一个以自下而上的方式从所述第一侧形成。

9.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，进一步包括在所述模结构上形成位线，使得所述位线连接到所述垂直沟道结构，并且所述位线在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上延伸。

10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底内形成沟槽，使得所述沟槽在第一方向上延伸；

形成填充所述沟槽的栅电极，所述栅电极使用湿沉积工艺形成为单层；

在所述栅电极上形成导电图案，使得所述导电图案在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及

在所述导电图案上形成电容器。

11.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中所述沟槽在所述第二方向上的宽度为30nm或更小。

12.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中所述栅电极使用化学镀沉积和电镀沉积中的至少一种形成。

13.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中所述栅电极不包括氟(F)或氯(Cl)。

14.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中所述栅电极包括铜(Cu)、钨(W)、镍(Ni)、钼(Mo)、钴(Co)和钌(Ru)中的至少一种。

15.根据权利要求14所述的制造半导体器件的方法，其中所述栅电极由镍(Ni)形成。

16.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中所述栅电极以自下而上的方式从所述沟槽的底侧形成。