[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：

形成将包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠的下部部分，所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，所述第一层的材料具有与所述第二层的材料不同的组合物，所述下部部分包括包括绝缘材料的上部第二层；在所述下部部分上方形成所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层和第二层，且形成延伸穿过所述上部部分到所述下部部分的沟道材料串；

纵向沿着所述存储器块区的相对横向边缘在所述上部第二层中形成水平伸长线，所述线的材料具有与所述上部第二层中的横向位于所述线之间的所述绝缘材料的组合物不同的组合物；以及

将水平伸长沟槽形成到所述堆叠中，所述水平伸长沟槽个别地在横向紧邻的所述存储器块区之间且延伸穿过所述上部部分到所述下部部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述上部第二层为所述下部部分中的最上部第二层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述线材料是绝缘的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述线材料是半导电的。

5.根据权利要求4所述的方法，其包括在形成所述沟槽之后去除所述线。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述线材料是导电的。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述导电材料包括金属材料。

8.根据权利要求6所述的方法，其包括在形成所述沟槽之后去除所述线。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述线材料包括二氧化铪、掺杂二氧化硅、掺杂碳的氮化硅、掺杂硼的硅、碳和元素硼中的至少一者。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述绝缘材料包括二氧化硅。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述二氧化硅是未经掺杂的。

12.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述线包括：

形成所述线材料以在所述横向紧邻的存储器块区之间且纵向沿着所述横向紧邻的存储器块区桥接；

在所述线材料上方形成所述上部部分；以及

将所述沟槽形成到所述线材料中且穿过所述线材料以自其形成所述线。

13.根据权利要求12所述的方法，其包括：

形成牺牲轨道，其个别地在将形成所述沟槽中的个别者的地方的正下方；

在所述牺牲轨道正上方形成所述线材料；

所述形成所述沟槽包括相对于所述牺牲轨道选择性地蚀刻穿过所述线材料；以及

在所述刻蚀之后去除所述牺牲轨道。

14.根据权利要求1所述的方法，其包括在形成所述上部部分之后形成所述线。

15.根据权利要求14所述的方法，其在形成所述沟槽之后形成所述线。

16.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述存储器块区内形成所述线。