[发明专利]单晶硅基板的制造方法

权利要求书

1.一种单晶硅基板的制造方法，从按照晶面{100}在正面和背面上分别露出的方式制造的单晶硅锭制造单晶硅基板，其中，

该单晶硅基板的制造方法包含如下的步骤：

保持步骤，利用该保持工作台对该单晶硅锭进行保持，其中，该单晶硅锭的该背面侧载置于保持工作台的保持面上；

剥离层形成步骤，在将透过单晶硅的波长的激光束的聚光点定位于该单晶硅锭的内部的状态下，沿着与该保持面平行且与该单晶硅锭的晶向100之间形成的锐角的角度为5°以下的第1方向，一边使该聚光点和该单晶硅锭相对地移动一边从该正面侧向该单晶硅锭照射该激光束，由此在该单晶硅锭的内部的沿着该第1方向的直线状的区域形成剥离层；

分度进给步骤，沿着与该保持面平行且与该第1方向垂直的第2方向，使当再次实施剥离层形成步骤时该单晶硅锭的内部的通过该激光束的照射而形成该聚光点的位置移动；以及

分离步骤，重复实施该剥离层形成步骤和该分度进给步骤，在从该单晶硅锭的内部的该第2方向的一端侧的区域至另一端侧的区域形成了该剥离层之后，以该剥离层为起点而从该单晶硅锭分离该单晶硅基板。

2.根据权利要求1所述的单晶硅基板的制造方法，其中，

在该剥离层形成步骤中，按照产生沿着该第2方向并列的多个聚光点的方式将该激光束分支。

3.根据权利要求1所述的单晶硅基板的制造方法，其中，

在该剥离层形成步骤中，龟裂沿着如下的晶面伸展：该晶面是晶面{N10}所包含的晶面，并且该晶面与该单晶硅锭的晶向100中的与该第1方向之间形成的锐角的角度为5°以下的晶向平行，其中，N为10以下的自然数。

4.根据权利要求1所述的单晶硅基板的制造方法，其中，

在重复实施该剥离层形成步骤和该分度进给步骤而从该一端侧的区域至该另一端侧的区域形成了该剥离层之后，再次重复实施该剥离层形成步骤和该分度进给步骤。

5.根据权利要求1所述的单晶硅基板的制造方法，其中，

在该剥离层形成步骤之后且在该分度进给步骤之前再次实施该剥离层形成步骤。

6.根据权利要求1所述的单晶硅基板的制造方法，其中，

在该剥离层形成步骤中，按照沿着该第2方向的宽度成为规定的长度的方式形成该剥离层，

在该分度进给步骤中，按照沿着该第2方向的移动距离成为该规定的长度以上的方式，使该单晶硅锭的内部的通过该激光束的照射而形成该聚光点的位置移动。

7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的单晶硅基板的制造方法，其中，

该单晶硅基板的制造方法包含如下的平坦化步骤：在该保持步骤之前，对该单晶硅锭的该正面进行磨削或研磨而进行平坦化。