[发明专利]用于异构封装架构的具有腔体结构的玻璃芯

权利要求书

1.一种用于微电子组件的衬底，包括：

包括玻璃的芯，以及

所述芯的任一侧上的电介质和导电迹线，其中：

所述芯包括被配置为安放集成电路(IC)管芯的腔体，并且

所述芯还包括穿过所述芯的一个或多个导电穿玻璃过孔(TGV)。

2.根据权利要求1所述的衬底，其中，所述腔体是盲腔。

3.根据权利要求2所述的衬底，还包括在所述盲腔与所述衬底的表面之间穿过所述芯的另一个TGV。

4.根据权利要求1所述的衬底，其中，所述腔体穿过所述芯的厚度。

5.根据权利要求4所述的衬底，其中，所述IC管芯包括被配置为电耦接所述衬底的表面和所述衬底的相对表面的穿衬底过孔(TSV)。

6.根据权利要求5所述的衬底，其中，所述导电迹线包括在所述TSV与所述衬底的所述表面之间以及在所述TSV与所述衬底的所述相对表面之间的过孔。

7.根据权利要求1所述的衬底，其中，所述IC管芯利用粘合剂附着到所述腔体中的所述芯。

8.根据权利要求1所述的衬底，其中，所述导电迹线包括穿过所述电介质的金属层以及耦接所述层的导电过孔。

9.根据权利要求8所述的衬底，其中，所述导电迹线还包括在所述衬底的暴露表面上的导电焊盘，所述导电焊盘被配置为耦接到另一个IC管芯或另一个衬底。

10.根据权利要求9所述的衬底，其中，一个暴露表面上的所述导电焊盘包括被配置为与另一个IC管芯形成混合直接结合部的铜柱，并且另一个暴露表面上的所述导电焊盘包括为倒装芯片凸块配置的结合焊盘。

11.根据权利要求1-10中的任一项所述的衬底，还包括穿过所述芯的任一侧上的所述电介质的导电过孔，所述导电过孔将所述TGV与所述衬底的第一暴露表面和所述衬底的相对第二暴露表面电耦接。

12.一种微电子组件，包括：

具有由玻璃构成的芯的衬底；以及

耦接到所述衬底的第一侧的第一IC管芯和第二IC管芯，其中：

所述芯包括腔体，

第三IC管芯位于所述腔体内部，并且

所述芯还包括一个或多个导电TGV，所述TGV便于所述衬底的所述第一侧与所述衬底的相对第二侧之间的电耦接。

13.根据权利要求12所述的微电子组件，其中，所述衬底还包括在所述芯的任一侧上的电介质和导电迹线。

14.根据权利要求12所述的微电子组件，其中：

所述第三IC管芯包括与所述第一侧贴近的第三侧以及与所述第二侧贴近的相对第四侧，并且

所述第三IC管芯包括在所述第三侧与所述第四侧之间提供电耦接的TSV。

15.根据权利要求14所述的微电子组件，其中：

所述腔体是盲腔，并且

所述芯包括在所述盲腔与所述第二侧之间提供电耦接的另一个TGV。

16.根据权利要求14所述的微电子组件，其中，所述腔体贯穿所述芯的整个厚度。

17.根据权利要求12所述的微电子组件，其中，所述第一IC管芯和所述第二IC管芯利用FLI耦接到所述衬底。

18.根据权利要求17所述的微电子组件，其中，所述衬底被配置为利用MLI或SLI耦接到所述第二侧上的部件。