[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池、电池组件及制备方法

权利要求书

1.一种碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于：包括前基板以及沿远离前基板的方向依次设置在前基板上的阻挡层、TCO层、缓冲层、窗口层、碲化镉吸收层和背接触层，背接触层包括依次层叠的碲钼化合物层、钼硒化合物层、钼层和铬层，碲钼化合物层与碲化镉吸收层接触设置。

2.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于：所述碲钼化合物层和钼硒化合物层之间插入有铜层、碲化铜层和/或硒化铜层。

3.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于：所述碲钼化合物层的碲钼化合物的化学式为Mo_xTe_y，且满足0x≤3，y4。

4.根据权利要求3所述的碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于：所述碲钼化合物层在与碲化镉吸收层接触的一侧满足0x≤3且y5。

5.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于：所述钼硒化合物层的钼硒化合物的化学式为Mo_aSe_b，且满足a3，0b≤4。

6.根据权利要求5所述的碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于：所述钼硒化合物层中靠近钼层的一侧满足a4，0b≤4。

7.一种碲化镉薄膜太阳能电池组件，其特征在于：包括多个权利要求1-6任意一项所述的碲化镉薄膜太阳能电池，多个碲化镉薄膜太阳能电池串联和/或并联连接。

8.一种碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，准备前基板；

S2，在前基板上沿远离前基板的方向依次制备阻挡层、TCO层、缓冲层、窗口层、碲化镉吸收层和背接触层，背接触层包括依次层叠的碲钼化合物层、钼硒化合物层、钼层和铬层，碲钼化合物层与碲化镉吸收层接触设置，其中，碲钼化合物的化学式为Mo_xTe_y，且满足0x≤3，y4；钼硒化合物的化学式为Mo_aSe_b，且满足a3，0b≤4。

9.根据权利要求8所述的碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤S2中，在制备完碲化镉吸收层后在其表面涂覆氯化镉溶液并进行退火处理。

10.根据权利要求8所述的碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述TCO层采用CVD或溅射方法沉积，缓冲层和窗口层采用溅射方法沉积，碲化镉吸收层采用VTD、CSS或溅射方法沉积，背接触层采用溅射方法沉积。