[发明专利]一种高压线性驱动的控制方法和电路

说明书

本发明公开了一种高压线性驱动的控制方法和电路，控制芯片连接多个MOS管，控制芯片设置有与可调电阻连接的电流控制引脚，该方法包括：若各MOS管的当前规格不是预设最小规格，根据当前规格确定可调电阻的目标阻值；通过电流控制引脚将可调电阻调整至目标阻值，以使控制芯片在驱动各MOS管时根据目标阻值获取第一电流，并基于由第一电流和预设基准电流生成的目标驱动电流驱动各MOS管；其中，预设基准电流与预设最小规格的MOS管的驱动电流相等，驱动单元的驱动电流可按较小的预设基准电流设计，并基于电流控制引脚调整驱动电流的大小，从而降低了EMI优化的成本。

技术领域

本申请涉及开关电源技术领域，更具体地，涉及一种高压线性驱动的控制方法和电路。

背景技术

在常规开关电源中，为了确保驱动速度，驱动MOS管的驱动单元driver的驱动电流都设计的比较大，但驱动电流过大都会造成EMI不达标，为了优化EMI参数，常规做法都是在MOS管的栅极上串联电阻等。

在高压线性外推MOS应用中，一个控制芯片往往会驱动一个功率段(如10W～50W)，在使用时会驱动1A或者2A或者其他规格的MOS管，为了适应不同规格MOS管，一般驱动电流在设计阶段会按照大规格MOS设计，因为高压线性的系统结构，有多个独立MOS管，如图2所示为一款市面产品应用，有四个独立MOS管，为使EMI达标，需要增加多个电阻及辅助器件(如高压电容)，成本较高。

因此，如何降低包括多个MOS管的高压线性驱动的EMI优化成本，是目前有待解决的技术问题。

发明内容

本发明公开了一种高压线性驱动的控制方法，用以解决现有技术中在对包括多个MOS管的高压线性驱动进行EMI优化时成本较高的技术问题。

该方法应用于包括控制芯片和与控制芯片连接的多个MOS管的电路中，控制芯片设置有与可调电阻连接的电流控制引脚，包括：

若各所述MOS管的当前规格不是预设最小规格，根据所述当前规格确定所述可调电阻的目标阻值；

通过所述电流控制引脚将所述可调电阻调整至所述目标阻值，以使控制芯片在驱动各所述MOS管时根据所述目标阻值获取第一电流，并基于由所述第一电流和预设基准电流生成的目标驱动电流驱动各所述MOS管；

其中，所述预设基准电流与预设最小规格的MOS管的驱动电流相等。

在本申请一些实施例中，根据所述目标阻值获取第一电流，具体为：

根据预设参考电压与所述目标阻值的运算结果获取所述第一电流。

在本申请一些实施例中，所述目标驱动电流的生成过程具体为：

根据所述第一电流和所述预设基准电流的运算结果确定总电流；

根据所述总电流与预设系数的乘积生成所述目标驱动电流。

在本申请一些实施例中，若所述当前规格是所述预设最小规格，控制芯片在驱动各所述MOS管时基于所述预设基准电流驱动各所述MOS管。

相应的，本发明还提出了一种高压线性驱动的控制电路，所述电路包括控制芯片和与控制芯片连接的多个MOS管，控制芯片设置有与可调电阻连接的电流控制引脚，控制芯片包括：

获取单元，用于根据处于目标阻值的可调电阻获取第一电流；

生成单元，用于根据所述第一电流和预设基准电流生成目标驱动电流；

驱动单元，用于基于所述目标驱动电流驱动各所述MOS管；

其中，所述预设基准电流与预设最小规格的MOS管的驱动电流相等，所述目标阻值是在各所述MOS管的当前规格不是预设最小规格时由所述当前规格确定的。