[发明专利]用于光电组件的扩散限制性的电活性阻挡层

权利要求书

1.一种光电组件(1)，其具有阴极(25)和阳极(27)以及阴极(25)与阳极(27)之间的层系统，该层系统包括：

-与所述阴极相邻的至少一个电子注入层(29)或电子提取层，

-至少一个电子传输层(33)，

-至少一个光活性层，

-至少一个空穴传输层(35)，

-与所述阳极相邻的至少一个空穴注入层(31)或空穴提取层，

其特征在于，

所述至少一个电子注入层(29)或电子提取层和所述至少一个空穴注入层(31)或空穴提取层对水和/或氧具有扩散限制性，并且

所述至少一个电子传输层(33)和所述至少一个空穴传输层(35)相当于对水和/或氧的扩散阻挡层。

2.根据前述权利要求所述的光电组件(1)，

其特征在于，

阴极(25)、所述至少一个电子注入层(29)或电子提取层和所述至少一个电子传输层(33)的层组合具有小于0.1g/(m²*d)的水蒸气透过率(WVTR)和小于0.1cm³/(m²*d)的氧气透过率(OTR)，和/或

阳极(27)、所述至少一个空穴注入层(31)或空穴提取层和所述至少一个电子传输层(35)的层组合具有小于0.1g/(m²*d)的水蒸气透过率(WVTR)和小于0.1cm³/(m²*d)的氧气透过率(OTR)。

3.根据前述任一项权利要求所述的光电组件(1)，

其特征在于，

所述至少一个电子传输层(33)和所述至少一个空穴传输层(35)具有小于1cm³/(m²*d)的氧气透过率(OTR)和小于0.1g/(m²*d)的水蒸气透过率(WVTR)。

4.根据前述任一项权利要求所述的光电组件(1)，

其特征在于，

所述至少一个电子传输层(33)具有在10^-6cm²/(V*s)和100cm²/(V*s)之间的电子迁移率，并且优选具有在3～4eV之间的LUMO，并且

所述至少一个空穴传输层(35)具有在10^-6cm²/(V*s)和100cm²/(V*s)之间的空穴迁移率，并且优选具有在5和7eV之间的HOMO。

5.根据前述任一项权利要求所述的光电组件(1)，

其特征在于，

所述至少一个电子传输层(33)具有掺杂的金属氧化物，优选具有掺杂的氧化锌，其中所述掺杂优选用铝、碱金属、碱土金属、茂金属和/或有机n-掺杂剂来进行，并且所述电子传输层(33)特别优选具有氧化铝锌。

6.根据前述任一项权利要求所述的光电组件(1)，

其特征在于，

所述至少一个空穴传输层(35)具有掺杂的金属硫氰酸盐和/或掺杂的金属氧化物，掺杂的金属硫氰酸盐优选为掺杂的硫氰酸铜，掺杂的金属氧化物优选为掺杂的氧化锌，

优选掺杂金属硫氰酸盐，金属硫氰酸盐优选从包括硫氰酸钠、硫氰酸钾、硫氰酸银、硫氰酸钨、硫氰酸钒、硫氰酸钼、硫氰酸铜和/或其他过渡金属硫氰酸盐的组中选择，和/或

优选掺杂金属氧化物，金属氧化物优选从包括氧化钨、氧化钒、氧化镍、氧化铜、氧化钼和/或其他过渡金属氧化物的组中选择，和/或

优选掺杂卤素，特别优选氟。

7.根据前述任一项权利要求所述的光电组件，

其特征在于，

所述至少一个电子传输层(33)的总的层厚度为10-50nm，优选为25-30nm，并且所述至少一个空穴传输层(35)的总的层厚度为10-40nm，优选为10-30nm，特别优选为15-25nm。