[发明专利]用于存储单元阵列的外围电路及存储器件

权利要求书

1.一种用于存储单元阵列的外围电路，所述存储单元阵列包括多个存储平面，所述外围电路包括：

多条全局字线；

多个异步多平面独立(AMPI)读取电压选择模块，用于分别从多个第一选中电压和多个第一未选中电压中选择其中之一电压，以用于执行所述多个存储平面的异步多平面独立读取操作；

非异步多平面独立读取电压选择模块，用于从多个第二选中电压和多个第二未选中电压中选择其中之一电压，以用于执行所述多个存储平面的非异步多平面独立读取操作；以及

多个全局字线电压选择模块，用于分别从相应的异步多平面独立读取电压选择模块输出的电压和所述非异步多平面独立读取电压选择模块输出的电压中，选择其中之一电压输出至相应的全局字线。

2.根据权利要求1所述的外围电路，其中，所述异步多平面独立(AMPI)读取电压选择模块和所述非异步多平面独立读取电压选择模块均为多路选择器(MUX)。

3.根据权利要求1所述的外围电路，其中，所述全局字线电压选择模块为二选一多路选择器(MUX)。

4.根据权利要求1所述的外围电路，还包括多个本地字线电压选择模块，用于从相应的全局字线电压选择模块输出的电压和多个未选中电压中，选择其中之一电压输出至相应存储平面中的相应本地字线。

5.根据权利要求4所述的外围电路，其中，所述本地字线电压选择模块为多路选择器(MUX)。

6.根据权利要求1所述的外围电路，其中，所述非异步多平面独立读取操作包括编程操作或擦除操作。

7.根据权利要求6所述的外围电路，其中，所述多个第二选中电压包括所述多个第一选中电压并且所述多个第二未选中电压包括所述多个第一未选中电压，并且其中，所述非异步多平面独立读取操作还包括同步多平面独立(SMPI)读取操作。

8.一种存储器件，包括：

存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储平面；以及

根据权利要求1-7中任一项所述的外围电路。

9.一种存储系统，包括：

根据权利要求8所述的存储器件，所述存储器件被配置为存储数据；以及

存储器控制器，所述存储器控制器耦接至所述存储器件并且被配置为控制所述存储器件。