[发明专利]箔式绕组型高频变压器的漏感获取方法

权利要求书

1.一种箔式绕组型高频变压器的漏感获取方法，所述箔式绕组型高频变压器包括磁芯、距离磁芯距离逐渐增大的多层绕组、及位于相邻绕组间的绝缘层，所述绕组包括若干初级绕组及若干次级绕组，所述绝缘层包括位于初级绕组之间的第一绝缘层及位于初级绕组和次级绕组之间的第二绝缘层，其特征在于，所述方法包括：

S1、获取输入交流电流时箔式绕组型高频变压器第p层初级绕组在频域中的磁场强度；

S2、将第p层初级绕组在频域中的磁场强度转化为第p层初级绕组在时域中的磁场强度；

S3、根据第p层初级绕组在时域中的磁场强度获取第p层初级绕组中磁场强度的有效值；

S4、根据第p层初级绕组磁场强度的有效值获取初级绕组的磁场能量，并根据初级绕组的磁场能量获取初级绕组内的漏感L_{cu_f}；

S5、根据第一绝缘层和第二绝缘层中的磁场强度获取第一绝缘层和第二绝缘层中的漏感L_u及L_g；

S6、获取箔式绕组型高频变压器中初级绕组的总漏感L_pri＝L_{cu_f}+L_u+L_g。

2.根据权利要求1所述的箔式绕组型高频变压器的漏感获取方法，其特征在于，所述步骤S1中，箔式绕组型高频变压器第p层初级绕组在频域中的磁场强度为：

其中，为第一层初级绕组远离磁芯一侧边界的磁场强度，b_f为初级绕组高度，h为初级绕组厚度，为初级绕组输入交流电流的向量形式，α为复传播常数，满足δ_wf为趋肤深度且满足ω为角频率，满足ω＝2πf，f为交流电流的频率，μ₀为真空中的磁导率，σ为初级绕组的电导率，j为复数中虚数的单位，x是第p层初级绕组中的横轴x的坐标，以第p层初级绕组最左侧边缘为坐标原点，x轴向第p层初级绕组右侧延伸直到最右侧边缘为止。

3.根据权利要求2所述的箔式绕组型高频变压器的漏感获取方法，其特征在于，所述输入交流电流为正弦波电流或多个正弦波电流之和。

4.根据权利要求2所述的箔式绕组型高频变压器的漏感获取方法，其特征在于，所述步骤S2具体为：

根据第p层初级绕组在频域中的磁场强度获取磁场强度的模和复角φ₁；

将第p层初级绕组在频域中相量形式的磁场强度转化为第p层初级绕组在时域中的磁场强度H_Z(t,x)。

5.根据权利要求4所述的箔式绕组型高频变压器的漏感获取方法，其特征在于，所述第p层初级绕组在频域中相量形式的磁场强度为：

其中：

φ为输入交流电流的初相，φ+φ₁为磁场强度的初相；

所述磁场强度的模和复角φ₁分别为：

所述第p层初级绕组在时域中的磁场强度H_Z(t,x)为：

6.根据权利要求5所述的箔式绕组型高频变压器的漏感获取方法，其特征在于，所述步骤S3中，第p层初级绕组在时域中磁场强度的有效值H_Z(RMS)为磁场强度的模即：

7.根据权利要求6所述的箔式绕组型高频变压器的漏感获取方法，其特征在于，所述步骤S4中，第p层初级绕组的磁场能量W_p为：

初级绕组的总磁场能量W_{cu_f}为：

其中，m为初级绕组的总层数，为穿透率，l_T为初级绕组的平均匝长，I为输入交流电流。

8.根据权利要求7所述的箔式绕组型高频变压器的漏感获取方法，其特征在于，所述初级绕组内的漏感L_{cu_f}为：