[发明专利]薄膜晶体管及电子器件

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

结晶有源图案，所述结晶有源图案包括：

沟道；

两个接触部，在与所述结晶有源图案的厚度方向相交的方向上，两个所述接触部连接于所述沟道的相对两侧；以及

凹槽，位于两个所述接触部中的至少一个上，且在所述结晶有源图案的厚度方向上延伸；

源极和漏极，分别与两个所述接触部连接；以及

保温层，所述保温层与所述沟道接触。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述结晶有源图案还包括两个过渡部，一个所述过渡部连接于一个所述接触部与所述沟道之间，所述保温层还与两个所述过渡部接触。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述结晶有源图案包括尺寸大于或等于300纳米的晶粒。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述保温层的折射率为n，所述保温层的厚度为d，所述n、所述d以及激光的波长λ满足如下公式：

2d×n＝k×λ，其中，所述k为大于或等于1的整数，所述激光的波长λ大于或等于180纳米且小于或等于420纳米。

5.根据权利要求1或4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述保温层的厚度大于或等于100埃且小于或等于1000埃。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹槽的深度小于或等于所述结晶有源图案的厚度，所述凹槽位于至少一个所述接触部靠近所述沟道的位置。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹槽的深度小于所述结晶有源图案的厚度，一个所述接触部上的凹槽与所述接触部完全重叠。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

栅极，对应所述沟道设置；

栅极绝缘层，位于所述栅极与所述结晶有源图案之间；

层间绝缘层，位于所述结晶有源图案与所述源极和所述漏极之间；

两个接触孔，至少贯穿所述层间绝缘层，所述源极和所述漏极分别通过两个所述接触孔与两个所述接触部连接。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极位于所述结晶有源图案与所述源极和漏极之间，所述层间绝缘层位于所述栅极与所述源极和所述漏极之间；

两个所述接触孔还贯穿所述栅极绝缘层，两个所述接触孔中的至少一者与所述凹槽重叠，所述接触孔的孔径大于所述凹槽的开口尺寸。

10.一种电子器件，其特征在于，所述电子器件包括如权利要求1-9任一项所述薄膜晶体管。