[发明专利]一种石英常温键合方法

权利要求书

1.一种石英常温键合方法，其特征在于，包括：

S100、清洗石英片表面；

S200、将两个所述石英片进行二氧化硅沉积，在所述石英片表面生成二氧化硅键合膜；

S300、对所述二氧化硅键合膜进行化学机械研磨；

S400、使用氢氟酸溶液清洗所述石英片；

S500、使两个所述石英片的所述二氧化硅键合膜相互接触并通过键合机键合所述石英片。

2.如权利要求1所述的石英常温键合方法，其特征在于，所述S200包括使用化学气相沉积法在所述石英片上沉积所述二氧化硅，所述二氧化硅生成源为正硅酸乙酯。

3.如权利要求1所述的石英常温键合方法，其特征在于，所述S200中生成的所述二氧化硅键合膜厚度为1微米-3微米。

4.如权利要求1所述的石英常温键合方法，其特征在于，所述S300包括如下子步骤：

S301、将所述石英片置入研磨腔内对所述二氧化硅键合膜进行研磨；

S302、将研磨后的所述石英片置入抛光腔中所述二氧化硅键合膜进行抛光；

S303、将抛光后的所述石英片置入超声腔中进行超声波清洗；

S304、将超声波清洗后的所述石英片置入清洗腔中进行清洗；

S305、将清洗后的所述石英片置入所述甩干腔中进行甩干。

5.如权利要求4所述的石英常温键合方法，其特征在于，经过所述S300处理后的所述二氧化硅键合膜厚度为5000埃-15000埃。

6.如权利要求4所述的石英常温键合方法，其特征在于，经过所述S300处理后的所述二氧化硅键合膜，轮廓算术平均偏差Ra小于1纳米，均方根粗糙度Rq小于1.5纳米。

7.如权利要求1所述的石英常温键合方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液的浓度为2％-5％。

8.如权利要求1所述的石英常温键合方法，其特征在于，所述S500包括如下子步骤：

S501、两个所述石英片首先依次进入等离子腔体，表面激活等离子体；

S502、所述石英片进入清洗腔体内部，进行表面亲水处理；

S503、对上方的所述石英片施加压力使两个所述石英片发生键合。

9.如权利要求8所述的石英常温键合方法，其特征在于，所述S503中施加于所述石英片上的所述压力持续时间为2秒-20秒。

10.如权利要求1所述的石英常温键合方法，其特征在于，所述石英常温键合方法还包括对所述键合片进行退火处理。