[发明专利]一种晶圆针压测试方法及系统在审
| 申请号: | 202210946357.3 | 申请日: | 2022-08-08 |
| 公开(公告)号: | CN115376949A | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
| 发明(设计)人: | 王帆;周鑫;黄华 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 刘芬芬 |
| 地址: | 710075 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 晶圆针压 测试 方法 系统 | ||
本申请公开了一种晶圆针压测试方法及系统,该晶圆针压测试方法包括:获取晶圆的整体翘曲度以及晶圆的针压数据,晶圆的整体翘曲度表征晶圆与探针接触的表面的高度;基于整体翘曲度以及晶圆的针压数据控制晶圆向探针移动的移动距离,以对晶圆进行针压测试。本申请通过获取晶圆的整体翘曲度以及晶圆的针压数据,并基于整体翘曲度以及晶圆的针压数据控制晶圆向探针移动的移动距离,以对晶圆进行针压测试,使得晶圆的每个测试点在进行针压测试时的移动距离不同,避免使用同一针压值测试三维集成晶圆导致出现接触不良或扎穿芯片金属引脚的问题。
技术领域
本申请涉及晶圆针压测试技术领域,特别是涉及一种晶圆针压测试方法及系统。
背景技术
3DIC DRAM是逻辑晶圆和存储晶圆通过键合工艺实现的工艺制程,为了达到最佳键合效果,逻辑晶圆和存储晶圆都对晶圆的翘曲度有要求,因此3DIC键合制造的DRAM晶圆平整度较差。同时由于两张晶圆的键合,最终晶圆需要减薄操作,减薄操作得到的晶圆的厚度一致性偏差较大。而在传统DRAM晶圆测试针压确定流程中,仅使用一个针压值即可实现对整张晶圆的针压测试,若使用传统DRAM晶圆测试针压方法对3DIC DRAM进行测试,则经常会出现接触测试问题,例如探针与晶圆接触不良,或者探针扎穿芯片金属引脚的问题。
发明内容
本申请至少提供一种晶圆针压测试方法及系统,以解决使用传统DRAM晶圆测试针压方法对3DIC DRAM进行测试所带来的接触测试问题。
本申请第一方面提供了一种晶圆针压测试方法,该晶圆针压测试方法包括:
获取晶圆的整体翘曲度以及晶圆的针压数据,晶圆的整体翘曲度表征晶圆与探针接触的表面的高度;
基于整体翘曲度以及晶圆的针压数据控制晶圆向探针移动的移动距离,以对晶圆进行针压测试。
可选地,该方法还包括:
控制晶圆向探针移动第一预设距离,以利用探针测试晶圆的参考点的针压数据;晶圆的参考点的针压数据为晶圆的针压数据。
可选地,基于整体翘曲度以及晶圆的针压数据控制晶圆向探针移动的移动距离,以对晶圆进行针压测试的步骤,包括:
响应于晶圆与探针接触的表面中探测点的高度大于晶圆的中心点的高度,控制晶圆向探针移动第二预设距离,以对晶圆进行针压测试,得到测试结果;
响应于晶圆与探针接触的表面中探测点的高度小于中心点的高度,控制晶圆向探针移动第三预设距离,以对晶圆进行针压测试,得到测试结果;
其中,第二预设距离小于第一预设距离,第三预设距离大于第一预设距离,且移动第二预设距离和/或移动第三预设距离后,探测点的针压数据与晶圆的中心点的针压数据匹配。
可选地,该方法还包括:
将测试结果中的电信号与预设电信号进行比较;
响应于测试结果中的电信号与预设电信号不匹配,基于测试结果中的针压数据和晶圆的参考点的针压数据调整晶圆向探针移动的距离,以重新对晶圆进行测试。
可选地,基于测试结果中的针压数据和晶圆的参考点的针压数据调整晶圆向探针移动的距离的步骤,包括:
获取标准参数表;其中,标准参数表用于标定晶圆产生不同电信号对应的针压数据;
基于标准参数表获取与测试结果中的电信号对应的第一针压数据;
基于第一针压数据与晶圆的参考点的针压数据调整晶圆向探针移动的距离。
可选地,基于第一针压数据与晶圆的参考点的针压数据调整晶圆向探针移动的距离的步骤,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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