[发明专利]半导体装置、基板及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

基板，其具有第1面、与所述第1面相反侧的第2面、设置在所述第1面上的多个导电连接部以及多个柱状电极，所述多个柱状电极设置为分别从多个所述导电连接部朝向所述第2面延伸，并具有锥形形状；和

半导体芯片，其具有与所述第1面相对向的第3面和多个连接凸块，所述多个连接凸块设置在所述第3面上，并分别与多个所述导电连接部电连接，

在供所述半导体芯片配置的所述第1面上的芯片区域中的第1区域配置的所述柱状电极具有与配置于所述芯片区域中的第2区域的所述柱状电极相反方向的锥形形状。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

配置于所述第1区域的所述导电连接部的上表面具有平坦形状，

配置于所述第2区域的所述导电连接部的上表面具有凸形状。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

配置于所述第2区域的所述导电连接部具有与配置于所述第1区域的所述导电连接部不同的厚度。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

配置于所述第2区域的所述导电连接部比配置于所述第1区域的所述导电连接部厚。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述导电连接部的厚度随着从所述第1区域朝向所述第2区域而变化。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述导电连接部具有与具有宽度从所述第1面朝向所述第2面变小的锥形形状的所述柱状电极的宽度相应的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，

配置于所述第1区域的所述柱状电极具有宽度从所述第1面朝向所述第2面变大的锥形形状，

配置于所述第2区域的所述柱状电极具有宽度从所述第1面朝向所述第2面变小的锥形形状。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，

配置于所述第1区域的所述柱状电极具有宽度从所述第1面朝向所述第2面变小的锥形形状，

配置于所述第2区域的所述柱状电极具有宽度从所述第1面朝向所述第2面变大的锥形形状。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，

所述第1区域为芯片中心区域，

所述第2区域为芯片外周区域。

10.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，

所述第2区域为芯片角部区域，

所述第1区域为所述芯片区域中的所述芯片角部区域以外的区域。

11.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，

所述第1区域为芯片外周区域，

所述第2区域为芯片中心区域。

12.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，

所述第1区域和所述第2区域在与所述第1面平行的方向上排列配置。

13.一种基板，具备：

第1面；

与所述第1面相反侧的第2面；

设置在所述第1面上的多个导电连接部；以及

多个柱状电极，设置为分别从多个所述导电连接部朝向所述第2面延伸，并具有锥形形状，

在供半导体芯片配置的所述第1面上的芯片区域中的第1区域配置的所述柱状电极具有与配置于所述芯片区域中的第2区域的所述柱状电极相反方向的锥形形状。

14.一种半导体装置的制造方法，包括：

在以夹着绝缘层的方式层叠了第1布线层和第2布线层的层叠体上的第3区域形成从所述第2布线层侧将所述绝缘层贯通而到达所述第1布线层的第1孔，

在与所述第3区域不同的所述层叠体上的第4区域形成从所述第1布线层侧将所述绝缘层贯通而到达所述第2布线层的第2孔。

15.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，

所述第1孔具有宽度从所述第2布线层朝向所述第1布线层变小的锥形形状，

所述第2孔具有宽度从所述第1布线层朝向所述第2布线层变小的锥形形状。