[发明专利]一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法

权利要求书

1.一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在具有漂移层的碳化硅衬底上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成至少两个P型的耐压夹断区；

步骤2、在漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成至少一个N型的耐压区；

步骤3、在漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成N+低阻导电区，所述N+低阻导电区底部连接至所述碳化硅衬底的上侧面；

步骤4、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔进行离子注入，以形成N+源区；

步骤5、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔氧化形成栅极绝缘层；

步骤6、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔淀积金属形成源极金属层；

步骤7、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻栅极金属淀积区，淀积形成栅极金属层；

步骤8、清除所有阻挡层，在碳化硅衬底上淀积形成漏极金属层。

2.如权利要求1所述的一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法，其特征在于，所述漂移层为N-型。