[发明专利]图像传感器封装以及具有该图像传感器封装的系统在审
申请号: | 202210915334.6 | 申请日: | 2022-08-01 |
公开(公告)号: | CN115831986A | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 金善载;宋充镐;赵庸会 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 封装 以及 具有 系统 | ||
1.一种图像传感器封装,包括:
封装基底基板,具有从其上表面向内延伸的空腔,所述封装基底基板包括彼此电连接的多个上表面连接焊盘和多个下表面连接焊盘;
在所述空腔中的图像传感器芯片,所述图像传感器芯片包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的芯片主体、在所述芯片主体的所述第一表面中的传感器单元以及在所述芯片主体的所述第一表面中在所述传感器单元周围的多个芯片焊盘;
在所述图像传感器芯片上方的滤光玻璃,所述滤光玻璃包括透明基板和在所述透明基板的下表面上的多个再分布图案;以及
多个连接端子,在所述多个再分布图案和所述多个芯片焊盘之间以及在所述多个再分布图案和所述多个上表面连接焊盘之间,以将所述多个芯片焊盘电连接到所述多个上表面连接焊盘。
2.根据权利要求1所述的图像传感器封装,进一步包括:
密封剂,配置为填充在所述封装基底基板和所述滤光玻璃之间的空间,并围绕所述多个连接端子。
3.根据权利要求2所述的图像传感器封装,进一步包括:
在所述芯片主体和所述透明基板之间的坝结构。
4.根据权利要求3所述的图像传感器封装,其中所述坝结构具有平面地在所述传感器单元和所述多个芯片焊盘之间沿着所述传感器单元的边缘连续延伸的矩形环形状,并与所述图像传感器芯片和所述滤光玻璃一起限定内部空间。
5.根据权利要求4所述的图像传感器封装,其中所述密封剂平面地在所述坝结构的外侧填充在所述封装基底基板和所述滤光玻璃之间的所述空间,并且不在所述内部空间中。
6.根据权利要求2所述的图像传感器封装,其中所述图像传感器芯片与所述封装基底基板的所述空腔的内侧间隔开,并通过附接到所述芯片主体的所述第二表面的芯片粘合构件附接到所述封装基底基板的所述空腔的底表面。
7.根据权利要求6所述的图像传感器封装,其中所述密封剂填充在所述图像传感器芯片和所述空腔的所述内侧之间的空间。
8.根据权利要求1所述的图像传感器封装,其中所述封装基底基板的所述上表面和所述芯片主体的所述第一表面在相同的垂直水平处。
9.根据权利要求1所述的图像传感器封装,其中所述封装基底基板的所述上表面在第一垂直水平处,并且所述芯片主体的所述第一表面在比所述第一垂直水平高的第二垂直水平处。
10.根据权利要求1所述的图像传感器封装,其中所述多个连接端子包括附接到所述多个芯片焊盘的多个内部连接端子,并且所述多个连接端子包括附接到所述多个上表面连接焊盘的多个外部连接端子,所述多个外部连接端子的水平宽度和垂直高度中的至少一个大于所述多个内部连接端子的水平宽度和垂直高度中的相应一个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的