[发明专利]一种1.25GHz宽带自偏置低功耗采样保持电路

权利要求书

1.一种1.25GHz宽带自偏置低功耗采样保持电路，其特征在于，包括：栅压自举开关BSW1、栅压自举开关BSW2、栅压自举开关BSW3、栅压自举开关BSW4、采样电容Cs1、采样电容Cs2、MOS开关SW1和全差分运算放大器AMP；

采样电容Cs1左极板通过栅压自举开关BSW1与输入信号VP相连，同时通过栅压自举开关BSW3与输出信号VOM相连；采样电容Cs1右极板与全差分运算放大器AMP负输入端相连；

采样电容Cs2左极板通过栅压自举开关BSW2与输入信号VM相连，同时通过栅压自举开关BSW4与输出信号VOP相连；采样电容Cs2右极板与全差分运算放大器AMP正输入端相连；

采样电容Cs1右极板和采样电容Cs2右极板均输入共模电平V_CM；

输出信号VOM和输出信号VOP通过MOS开关SW1连接。

2.根据权利要求1所述的1.25GHz宽带自偏置低功耗采样保持电路，其特征在于，全差分运算放大器AMP，包括：辅助运放A1、辅助运放A2、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS开关S1、MOS开关S2和MOS开关S3；

MOS管M1栅极与输入信号Vin⁺相连，同时通过MOS开关S2与输出信号VOUT^-、MOS管M5漏极和MOS管M7漏极相连，同时通过MOS开关S1与输入信号Vin^-和MOS管M2栅极相连；MOS管M1漏极与MOS管M3漏极、MOS管M5源极和辅助运放A1正输入端相连；MOS管M1源极接地；

MOS管M2栅极通过MOS开关S3与输出信号VOUT⁺、MOS管M6漏极和MOS管M8漏极相连；MOS管M2漏极与MOS管M4漏极、MOS管M6源极和辅助运放A1负输入端相连；MOS管M2源极接地；

MOS管M3栅极和MOS管M4栅极与偏置信号Vb1_AMP相连；MOS管M3源极接地，MOS管M4源极接地；

MOS管M5栅极与辅助运放A1负输出端相连；

MOS管M6栅极与辅助运放A1正输出端相连；

MOS管M7栅极与辅助运放A2负输出端相连；MOS管M7源极与MOS管M9漏极和辅助运放A2正输入端相连；

MOS管M8栅极与辅助运放A2正输出端相连；MOS管M8源极与MOS管M10漏极和辅助运放A2负输入端相连；

MOS管M9栅极和MOS管M10栅极与偏置信号Vb2_AMP相连；MOS管M9源极和MOS管M10源极均接电源。

3.根据权利要求2所述的1.25GHz宽带自偏置低功耗采样保持电路，其特征在于，辅助运放A1，包括：MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MP3、MOS管MP4、MOS管MP5、MOS管MP6、MOS管MP7、MOS管MN1、MOS管MN2、MOS管MN3和MOS管MN4；

MOS管MP1栅极与输入信号Vin⁺_A1相连；MOS管MP1源极与MOS管MP2源极和MOS管MP3漏极相连；MOS管MP1漏极与MOS管MN1漏极和MOS管MN3源极相连；

MOS管MP2栅极与输入信号Vin^-_A1相连；MOS管MP2漏极与MOS管MN2漏极和MOS管MN4源极相连；

MOS管MP3栅极、MOS管MP6栅极和MOS管MP7栅极与偏置信号Vb4_A1相连；MOS管MP3源极、MOS管MP6源极和MOS管MP7源极均接电源；MOS管MP6漏极与MOS管MP4源极相连；MOS管MP7漏极与MOS管MP5源极相连；

MOS管MP4栅极和MOS管MP5栅极与偏置信号Vb3_A1相连；MOS管MP4漏极和MOS管MN3漏极与输出信号VOUT^-_A1相连；

MOS管MP5漏极和MOS管MN4漏极与输出信号VOUT⁺_A1相连；

MOS管MN3栅极和MOS管MN4栅极与偏置信号Vb2_A1相连；MOS管MN1栅极和MOS管MN2栅极与偏置信号Vb1_A1相连；MOS管MN1源极和MN2源极均接地。