[发明专利]阵列基板及显示面板

说明书

本申请涉及一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底基板、位于所述衬底基板上且呈阵列分布的多个子像素以及多条信号线，所述子像素包括薄膜晶体管，所述信号线沿第一方向延伸，用于为所述薄膜晶体管提供电压信号，所述多个子像素包括沿第二方向相邻且对称分布的第一子像素和第二子像素，且所述第一子像素和所述第二子像素的薄膜晶体管的源极共用且连接同一个有源层，并与同一条所述信号线电性连接，所述第一方向和所述第二方向相交。根据本申请的阵列基板，提高了相邻子像素的信号同步性和均一性，当阵列基板应用于显示面板中时，能够提高显示均一性。

技术领域

本申请涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

在像素电路中，尤其是信号线共用的情况下，经常出现相邻两个子像素的TFT(薄膜晶体管，Thin-Film Transistor)的源极或者漏极同信号的情况，这将会产生两个过孔。由于制备工艺不均一容易造成过孔内的形貌不同，占用空间较大。另外，过孔的粗糙度及副产物残留等还会造成信号传输速度及损耗程度的变化，导致相邻两个同信号的端子传输同步性减弱，并且不同程度的信号衰减也会造成相邻子像素的电信号分配不均，影响发光效率。

发明内容

本申请旨在解决现有技术中存在的技术问题。为此，本申请提出一种阵列基板及显示面板，其可以提高相邻子像素的信号同步性和均一性，减少空间占用。

第一方面，本申请提供一种阵列基板，包括衬底基板、位于衬底基板上且呈阵列分布的多个子像素以及多条信号线，子像素包括薄膜晶体管，信号线沿第一方向延伸，用于为薄膜晶体管提供电压信号，多个子像素包括沿第二方向相邻且对称分布的第一子像素和第二子像素，且第一子像素和第二子像素的薄膜晶体管的源极共用且连接同一个有源层，并与同一条信号线电性连接，第一方向和第二方向相交。

在一种可选的实施方式中，阵列基板还包括依次形成于衬底基板上的半导体层、栅绝缘层、第一金属层、钝化层和第二金属层；第一子像素与第二子像素的薄膜晶体管的有源层位于半导体层且相互连接，第一子像素和第二子像素的薄膜晶体管的栅极位于第一金属层，第一子像素和第二子像素的薄膜晶体管的源极、漏极及信号线位于第二金属层，第一子像素和第二子像素的薄膜晶体管的源极通过形成于钝化层的同一个第一过孔分别与同一个有源层电性连接。

在一种可选的实施方式中，信号线在衬底基板上的正投影与第一过孔在衬底基板上的正投影重叠。

在一种可选的实施方式中，多条信号线包括位于第一子像素和第二子像素之间且间隔分布的第一信号线和第二信号线，第一信号线用于为薄膜晶体管提供电源电压信号，第二信号线用于为薄膜晶体管提供初始化电压信号；钝化层的两个第一过孔分别与第一信号线和第二信号线对应设置。

在一种可选的实施方式中，阵列基板还包括缓冲层和遮光金属层，缓冲层位于衬底基板与半导体层之间，遮光金属层位于衬底基板与缓冲层之间，且遮光金属层在衬底基板上的正投影覆盖有源层在衬底基板上的正投影。

在一种可选的实施方式中，栅极通过贯穿栅绝缘层至缓冲层之间膜层的第二过孔与遮光金属层电连接；或者，源极和信号线中的任一者通过贯穿钝化层至缓冲层之间膜层的第二过孔与遮光金属层电连接。

在一种可选的实施方式中，钝化层还形成有间隔分布的第三过孔和第四过孔，第一子像素的薄膜晶体管的漏极通过第三过孔与有源层电性连接，第二子像素的薄膜晶体管的漏极通过第四过孔与有源层电性连接。

在一种可选的实施方式中，阵列基板还包括平坦化层及电极层，平坦化层位于第二金属层背离衬底基板一侧，电极层位于平坦化层背离衬底基板一侧，电极层包括与多个子像素一一对应的多个第一电极。

在一种可选的实施方式中，第一子像素和第二子像素形成为重复像素组，多个重复像素组在衬底基板上呈阵列分布，且相邻的两个重复像素组的薄膜晶体管的有源层间隔分布。

第二方面，本申请还提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。