[发明专利]一种太阳能电池电极的制作方法在审
| 申请号: | 202210906975.5 | 申请日: | 2022-07-29 |
| 公开(公告)号: | CN115188839A | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
| 发明(设计)人: | 殷志豪;彭颖杰;王敏;雷贝;王恒;徐晔 | 申请(专利权)人: | 苏州诺菲纳米科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L51/44;H01L31/18;H01L51/48 |
| 代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 王广浩 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 电极 制作方法 | ||
本发明公开了一种太阳能电池电极的制作方法,包括:S1、在基底上设置胶膜层,并根据设计图案在胶膜层上制作孔洞以形成模板;S2、根据设计图案在胶膜层上打印金属线作为栅线,以形成金属线胶膜板;S3、将金属线胶膜板上打印金属线的面贴合在电池片上并去除基底;S4、在孔洞内填充导电浆料并固化。本发明利用金属线替代昂贵的导电银浆,并通过胶膜层固定金属线以保证稳定性,在保证同等导电性的基础上,可以大大地降低栅线制作成本和遮光面积,改善电池转换效率。同时,本发明中金属线的工艺可以使用更加复杂的金属线图案的制作,模板和金属线打印都可以提前制作,金属浆料固定之前的金属线稳定性更好,对位更加精准,良率也更高。
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,特别涉及一种太阳能电池电极的制作方法。
背景技术
太阳能电池,是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片,又称为“太阳能芯片”或“光电池”,它只要被满足一定照度条件的光照度,瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。在物理学上称为太阳能光伏(Photovoltaic,缩写为PV),简称光伏。
太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。以光伏效应工作的晶硅太阳能电池为主流,而以光化学效应工作的薄膜电池实施太阳能电池则还处于萌芽阶段。
能源危机以及碳达峰碳中和背景下光伏产业发展迅速,而进一步推广光伏应用的关键是提高太阳能电池片的光电转换效率以及降低电池片的制作成本。对于太阳能电池来说,为了获得尽可能高的光电转化效率,对电池的结构必须进行详细设计。其中栅线是电池不可或缺的一部分,金属栅线负责把电池体内的光生电流引到电池外部。目前使用最多的栅线电极是以丝印导电银浆为主,缺点是银浆价格高昂,消耗量大,成本难以降低,印刷工艺难以进一步提高高宽比,遮光面积较大,影响电池片对光的吸收,进而影响光电转化效率。因此,亟需一种新的太阳能电池电极的制作方法来解决上述问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种结构合理、成本低、工艺成熟、改善转换效率的太阳能电池电极的制作方法。
为了解决上述问题,本发明提供了一种太阳能电池电极的制作方法,所述太阳能电池电极的制作方法包括以下步骤:
S1、在基底上设置胶膜层,并根据设计图案在所述胶膜层上制作孔洞以形成模板;
S2、根据设计图案在所述胶膜层上打印金属线作为栅线,以形成金属线胶膜板;
S3、将所述金属线胶膜板上打印金属线的面贴合在电池片上并去除所述基底;
S4、在所述孔洞内填充导电浆料并固化。
作为本发明的进一步改进,步骤S1中,所述胶膜层为EVA或POE,所述胶膜层可与电池片上的EVA/POE层进行组件层压。
作为本发明的进一步改进,步骤S1中,通过干法刻蚀或湿法刻蚀在所述胶膜层上制作孔洞。
作为本发明的进一步改进,还包括以下步骤:
S5、去除所述胶膜层。
作为本发明的进一步改进,步骤S5包括:采用机械剥除或化学剥除去除所述胶膜层。
作为本发明的进一步改进,所述基底为PET、玻璃或金属。
作为本发明的进一步改进,所述金属线为铜线、铝线、锡包铜线、银包铜线、锡合金包铜线。
作为本发明的进一步改进,所述电池片为晶硅太阳能电池片、薄膜太阳能电池片或有机太阳能电池片。
作为本发明的进一步改进,步骤S4中,在所述孔洞内填充导电浆料的方式为丝网印刷、点胶或刮填。
作为本发明的进一步改进,所述导电浆料为银浆、铝浆、锡膏、银铝浆、银包铜、石墨烯浆或碳纳米管浆。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州诺菲纳米科技有限公司,未经苏州诺菲纳米科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210906975.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





