[发明专利]一种肖特基和FRD集成的IGBT及其制备方法

权利要求书

1.一种肖特基和FRD集成的IGBT，其特征在于，所述IGBT的第一表面采用肖特基结构，所述IGBT的第二表面上与所述肖特基结构的沟槽的正对的区域注入P⁺，形成FRD结构，其余区域注入N⁺。

2.一种IGBT的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备如权利要求1所述的肖特基和FRD集成的IGBT，所述制备方法包括：

S11，在硅基的第一表面制备沟槽；

S12，对所述沟槽的表面进行氧化，生成氧化层；

S13，在所述沟槽内填充多晶硅，并进行平坦化工艺；

S14，在所述第一表面沉积层间介质层；

S15，在所述第一表面制备接触孔；

S16，在所述接触孔形成铂硅化合物，形成肖特基正极；

S17，将所述第一表面键合至玻璃载板；

S18，翻转所述硅基，在所述硅基的第二表面进行离子注入和高温回火，其中，正对所述沟槽的区域注入P⁺，其余区域注入N⁺；

S19，所述玻璃载板从所述硅基的第一表面解键合，并将所述硅基转移至载盘；

S20，在所述第二表面制备金属层；

S21，高温激活注入的离子；

S22，将所述金属层蚀刻为金属块。

3.根据权利要求2所述的IGBT的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

S23，在所述第一表面沉积聚亚酰胺；

S24，在所述金属块制备镍钯金。

4.根据权利要求2所述的IGBT的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

S25，将制备完成的IGBT进行切割后，从所述载盘分离。

5.根据权利要求2所述的IGBT的制备方法，其特征在于，步骤S11制备的所述沟槽包括第一槽段和第二槽段，所述第二槽段的深度大于所述第一槽段，所述第二槽段的直径小于所述第一槽段。

6.根据权利要求2所述的IGBT的制备方法，其特征在于，S11包括：

S111，在所述硅基的第一表面蚀刻出第一槽段；

S112，在所述第一槽段的侧壁设置防护部；

S113，在所述防护部的保护下，在所述第一槽段的底壁蚀刻第二槽段。

7.根据权利要求6所述的IGBT的制备方法，其特征在于，所述防护部为氮化硅防护部。

8.根据权利要求2所述的IGBT的制备方法，其特征在于，步骤S16，在所述接触孔形成铂硅化合物，形成肖特基正极，具体包括：

S161，在硅基第一表面沉积铂金属，铂金属与接触孔处的硅或多晶硅生成铂硅化合物；

S162，采用王水去除除接触孔处的铂硅化合物外的铂金属。

9.根据权利要求2所述的IGBT的制备方法，其特征在于，步骤S15中制备的接触孔包括连通所述沟槽内多晶硅的第一接触孔及与所述沟槽间隔设置的第二接触孔。