[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的ESD保护装置

权利要求书

1.一种半导体装置(1)，所述半导体装置(1)具有第一装置端子(2a)和第二装置端子(2b)，所述半导体装置(1)包括半导体本体(6)，在所述半导体本体(6)上集成有第一电子部件(3)，

其中，所述第一电子部件(3)包括：

第一电荷类型的第一主区域(3a)，所述第一主区域(3a)电连接到所述第一装置端子(2a)；

第二电荷类型的第二主区域(3b)，所述第二主区域(3b)被布置为与所述第一主区域(3a)相邻；以及

所述第一电荷类型的第三主区域(3c)，所述第三主区域(3c)被布置为与所述第二主区域(3b)相邻，并且电连接到所述第二装置端子(2b)，

其特征在于：

所述半导体装置(1)还包括：

第二电子部件(4)，所述第二电子部件(4)集成在所述半导体本体(6)上并且与所述第一电子部件(3)间隔开，所述第二电子部件(4)包括所述第一电荷类型的第一次级区域(4a)、以及与所述第一次级区域(4a)相邻布置的所述第二电荷类型的第二次级区域(4b)，其中所述第二次级区域(4b)电连接到所述第二装置端子(2b)；以及

第一电容性元件(5a)，所述第一电容性元件(5a)的第一端子电连接到所述第二主区域(3b)，并且所述第一电容性元件(5a)的第二端子电连接到所述第一次级区域(4a)。

2.根据权利要求1所述的半导体装置(1)，其中所述第一电子部件(3)形成双极结型晶体管BJT，并且/或者其中所述第二电子部件(4)形成二极管。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置(1)，还包括第三电子部件(7)，所述第三电子部件(7)集成在所述半导体本体(6)上并且与所述第一电子部件(3)和所述第二电子部件(4)间隔开，

其中，所述第三电子部件(7)包括所述第一电荷类型的第一三级区域(7a)、以及与所述第一三级区域(7a)相邻布置的所述第二电荷类型的第二三级区域(7b)，

其中，所述第一三级区域(7a)电连接到所述第一电容性元件(5a)的第二端子，或者其中所述半导体装置(1)还包括另一第一电容性元件，所述另一第一电容性元件的第一端子电连接到所述第二主区域(3b)，并且所述另一第一电容性元件的第二端子电连接到所述第一三级区域(7a)，

其中，所述第二三级区域(7b)电连接到所述第一装置端子(2a)，

其中，所述第三电子部件(7)优选地形成二极管。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置(1)，其中，所述第二电子部件(4)还包括与所述第一次级区域(4a)相邻布置的所述第二电荷类型的第三次级区域(4c)，其中所述第三次级区域(4c)电连接到所述第一装置端子(2a)，

其中，所述第二电子部件(4)优选地形成BJT。

5.根据权利要求4所述的半导体装置(1)，其中，所述第二主区域(3b)包括：

第一主子区域(8a)，所述第一主子区域(8a)被布置为与所述第一主区域(3a)相邻；以及

第二主子区域(8b)，所述第二主子区域(8b)被布置在所述第一主子区域(8a)和所述第三主区域(3c)之间，其中所述第一主子区域(8a)的掺杂剂浓度小于所述第二主子区域(8b)和所述第一主区域(3a)的掺杂剂浓度，

其中，所述第一次级区域(4a)包括：

第一次级子区域(9a)，所述第一次级子区域(9a)被布置为与所述第三次级区域(4c)相邻；以及

第二次级子区域(9b)，所述第二次级子区域(9b)被布置在所述第一次级子区域(9a)和所述第二次级区域(4b)之间，其中所述第一次级子区域(9a)的掺杂剂浓度小于所述第二次级子区域(9b)和所述第三次级区域(4c)的掺杂剂浓度，

其中，所述第一电容性元件(5a)电连接在所述第一主子区域(8a)和所述第二主子区域(8b)中的至少一个与所述第一次级子区域(9a)和所述第二次级子区域(9b)中的至少一个之间。