[发明专利]一种掩埋型波导放大器及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种掩埋型波导放大器，其特征在于，包括由下到上依次层叠的基片和上包层；所述基片的上表面具有沟道，所述沟道被增益介质完全填充；所述增益介质由如下摩尔份数的组分组成：

2.根据权利要求1所述掩埋型波导放大器，其特征在于，所述基片的材质在1.3μm波长处的折射率为1.40～1.50；所述上包层的材质在1.3μm波长处的折射率为1.40～1.50；所述增益介质在1.3μm波长处的折射率为1.58～1.65。

3.根据权利要求1所述掩埋型波导放大器，其特征在于，所述基片的材质为二氧化硅、氮化硅或铌酸锂中的至少一种。

4.根据权利要求1所述掩埋型波导放大器，其特征在于，所述上包层的材质为二氧化硅或高分子聚合物。

5.根据权利要求1所述掩埋型波导放大器，其特征在于，所述沟道的横截面形状为矩形。

6.根据权利要求1所述掩埋型波导放大器，其特征在于，所述增益介质由如下摩尔份数的组分组成：

7.权利要求1～6任一所述掩埋型波导放大器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1.在基片的上表面进行沟道设计，得上表面具有沟道的基片；

S2.将增益介质完全填充到基片的上表面的沟道中，并在基片的上表面形成一层增益介质薄膜，然后进行抛光处理以除去增益介质薄膜；

S3.在基片的上表面沉积上包层，实现对增益介质的掩埋，即得所述掩埋型波导放大器。

8.根据权利要求7所述制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括如下步骤：

S11.在基片的上表面旋涂电子胶；

S12.处理好需要电子束曝光的版图后，对经S11处理的基片进行电子束曝光，显影后得到与所述版图对应的电子胶图层，所述电子胶图层具有延伸至基片的上表面的凹槽；

S13.对经S12处理后的基片进行热回流处理；

S14.对经S13处理后的基片进行反应离子刻蚀处理，使得电子胶图层的凹槽转移到基片的上表面，使得基片的上表面形成与凹槽对应的沟道，再经去胶和抛光，得上表面具有沟道的基片。

9.根据权利要求7所述制备方法，其特征在于，步骤S2中所述完全填充通过熔融-淬火工艺实现。

10.权利要求1～6任一所述掩埋型波导放大器在制备光学器件中的应用。