[发明专利]一种基于光子晶体基板的多频高增益太赫兹微带天线

权利要求书

1.一种基于光子晶体基板的多频高增益太赫兹微带天线，其特征在于，该天线包括：

接地板(1)；

第二介质基板(2)，粘附在接地板(1)上，所述第二介质基板(2)中设置光子晶体结构(10)；

第一介质基板(3)，通过半固化片粘接在所述第二介质基板(2)上；

辐射贴片(4)，刻蚀在第一介质基板(3)上，所述辐射贴片(4)匹配连接有四分之一阻抗转换器(5)和50Ω微带传输线(6)，所述四分之一阻抗转换器(5)的两端分别与辐射贴片(4)和50Ω微带传输线(6)连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体基板的多频高增益太赫兹微带天线，其特征在于，所述第二介质基板(2)为介电常数为11.9、损耗角正切值为0.00025的高阻硅基板。

3.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体基板的多频高增益太赫兹微带天线，其特征在于，所述第二介质基板(2)的长度为260um，宽度为300um，高度为35um。

4.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体基板的多频高增益太赫兹微带天线，其特征在于，所述第一介质基板(3)为介电常数为3.5、损耗角正切值为0.0027的聚酰亚胺基板。

5.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体基板的多频高增益太赫兹微带天线，其特征在于，所述第一介质基板(3)与所述第二介质基板(2)的尺寸相同。

6.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体基板的多频高增益太赫兹微带天线，其特征在于，所述光子晶体结构(10)包括5×5周期排列的矩形介质柱。

7.根据权利要求6所述的一种基于光子晶体基板的多频高增益太赫兹微带天线，其特征在于，所述矩形介质柱为介电常数为3.5、损耗角正切值为0.0027的聚酰亚胺矩形介质柱，矩形介质柱高度与所述第二介质基板(2)相同。

8.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体基板的多频高增益太赫兹微带天线，其特征在于，所述辐射贴片(4)包括矩形贴片(11)、两个圆形贴片(9)、第一缝隙(7)和第二缝隙(8)；

所述矩形贴片设于所述第一介质基板(3)的中央位置，两个圆形贴片(9)分别对称地设于所述矩形贴片(11)的两个直角位置，所述第一缝隙(7)和所述第二缝隙(8)对称开设于所述矩形贴片(11)中部位置。

9.根据权利要求8所述的一种基于光子晶体基板的多频高增益太赫兹微带天线，其特征在于，所述矩形贴片(11)长度为120um，宽度为115um；

所述圆形贴片(9)的半径为30um；

所述第一缝隙(7)和所述第二缝隙(8)尺寸相同，且两个缝隙基于所述矩形贴片(11)的几何中心呈中心对称分布。

10.根据权利要求1-9任一项所述的一种基于光子晶体基板的多频高增益太赫兹微带天线，其特征在于，该天线的工作频段包括：0.35THz-0.369THz、0.568THz-0.59THz、0.679THz-0.704THz。