[发明专利]一种扩散硅芯片的方法在审
| 申请号： | 202210879328.X | 申请日： | 2022-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN115188663A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 郭城;吕明;李充;王永超;弭帅;潘炜 | 申请（专利权）人： | 山东科芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22 |
| 代理公司： | 山东瑞宸知识产权代理有限公司 37268 | 代理人： | 杜超 |
| 地址： | 250200 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 芯片 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种扩散硅芯片的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、清洗：对单晶硅片进行RCA 清洗，用于清除有机表面膜、粒子和金属沾污；
S2、氧化：将清洗好的单晶芯片放入水汽和氧气的环境中，并对单晶芯片进行加热，单晶硅片在高温下进行化学反应，而在硅片表面产生一层致密的二氧化硅薄膜；
S3、蚀刻：对氧化后的单晶硅片进行蚀刻；
S4、掺杂扩散：对硅片表面进行磷或者硼扩散掺杂，并且对硅片进行高温加热；
S5、去氧化：对扩散硅芯片进行RCA清洗，并且对芯片表面进行腐蚀清洗。
2.根据权利要求1所述的一种扩散硅芯片的方法，其特征在于：所述RCA清洗的清洗液设置为APM清洗液。
3.根据权利要求1所述的一种扩散硅芯片的方法，其特征在于：所述氧化时的加热温度为800℃~1150℃。
4.根据权利要求1所述的一种扩散硅芯片的方法，其特征在于：所述磷或者硼扩散掺杂的加热温度为900℃，所述硅片高温加热温度为1100℃。
5.根据权利要求1所述的一种扩散硅芯片的方法，其特征在于：所述磷或者硼扩散掺杂的加热时间为45min，所述硅片高温加热时间为70min。
6.根据权利要求1所述的一种扩散硅芯片的方法，其特征在于：所述腐蚀清洗的清洗液为BOE清洗液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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