[发明专利]一种微针结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210878800.8 | 申请日： | 2022-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN115153567A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 黄立;黄晟;童贝 | 申请（专利权）人： | 武汉衷华脑机融合科技发展有限公司 |
| 主分类号： | A61B5/293 | 分类号： | A61B5/293;A61B5/262;A61B5/263;A61B5/265;A61B5/294;C23C14/06;C23C14/10;C23C14/16;C23C14/30;C23C14/34;C23C14/58;C30B28/12;C30B29/06 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种微针结构，其特征在于，包括微针的针体，以及在针体表面的应力调控层。
2.根据权利要求1所述的一种微针结构，其特征在于，所述微针结构还包括位于所述针体表面和应力调控层之间依次设置的电极层及绝缘层。
3.根据权利要求2所述的一种微针结构，其特征在于，所述电极层的材质包括铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、钨(W)、银(Ag)、钛(Ti)或铂(Pt)。
4.根据权利要求2所述的一种微针结构，其特征在于，所述绝缘层的材质包括氮化硅(Si3N4)、多晶硅(poly)或二氧化硅(SiO2)。
5.根据权利要求1-4任一项所述的一种微针结构，其特征在于，所述应力调控层中的应力与针体的应力状态相反。
6.根据权利要求1-4任一项所述的一种微针结构，其特征在于，所述针体的材质包括Si或SOI。
7.根据权利要求1-4任一项所述的一种微针结构，其特征在于，所述应力调控层的材质包括氧化硅、氮化硅或多晶硅。
8.一种微针结构的制备方法，用于制备权利要求1所述微针结构，其特征在于，包括如下步骤：
S1.在微针的针体的表面上生长应力调控层；
S2.对生长应力调控层的针体进行表面处理获得可应力调控的微针结构。
9.如权利要求8所述的一种微针结构的制备方法，其特征在于，所述微针结构的制备方法还包括，
S0.在制备生长应力调控层之前，在针体上依次沉积制作电极层及绝缘层。
10.如权利要求8所述的一种微针结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S0中，分别对制备的电极层及绝缘层进行图案化处理。
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