[发明专利]谐振器的制备方法及谐振器、滤波器的制备方法及滤波器在审
| 申请号： | 202210876278.X | 申请日： | 2022-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN115208342A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 赖志国;杨清华 | 申请（专利权）人： | 苏州汉天下电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/54 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孔凡红 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 谐振器 制备 方法 滤波器 | ||
1.一种谐振器的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底的一侧形成种子层；
在所述种子层背离所述衬底的一侧形成下电极；
图形化所述下电极；
湿法刻蚀所述种子层，刻蚀后的所述种子层的边缘内缩在所述下电极在所述衬底的正投影内；
对所述下电极的侧面进行内缩处理，以使所述下电极在所述衬底的正投影和所述种子层在所述衬底的正投影重合，或者，以使所述下电极在所述衬底的正投影落在所述种子层在所述衬底的正投影之内；
在所述下电极背离所述种子层的一侧形成压电层；
在所述压电层背离所述下电极的一侧形成上电极。
2.根据权利要求1所述的谐振器的制备方法，其特征在于，对所述下电极的侧面进行内缩处理包括：
至少一次通过刻蚀工艺去除所述下电极的预设表面的材料；其中，所述预设表面包括所述下电极的侧面。
3.根据权利要求2所述的谐振器的制备方法，其特征在于，所述预设表面还包括所述下电极的顶面，至少一次通过刻蚀工艺去除所述下电极的预设表面的材料包括：
至少一次通过刻蚀工艺去除所述下电极的侧面的材料以及所述下电极的顶面的材料。
4.根据权利要求3所述的谐振器的制备方法，其特征在于，通过刻蚀工艺去除所述下电极的预设表面的材料包括：
对所述下电极的预设表面进行氧化处理，以在所述下电极的预设表面形成氧化层；
通过刻蚀工艺去除所述下电极的预设表面的氧化层。
5.根据权利要求4所述的谐振器的制备方法，其特征在于，对所述下电极的预设表面进行氧化处理包括：
通过氧化剂溶液对所述下电极的预设表面进行氧化处理。
6.根据权利要求4所述的谐振器的制备方法，其特征在于，对所述下电极的预设表面进行氧化处理包括：
通过干法等离子体氧化工艺对所述下电极的预设表面进行氧化处理。
7.根据权利要求2所述的谐振器的制备方法，其特征在于，通过刻蚀工艺去除的所述下电极的预设表面的材料和所述下电极的材料相同。
8.一种滤波器的制备方法，其特征在于，包括权利要求1-7任一所述的谐振器的制备方法。
9.一种谐振器，其特征在于，采用权利要求1-7任一所述的谐振器的制备方法制备而成。
10.一种滤波器，其特征在于，包括两个以上权利要求9所述的谐振器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州汉天下电子有限公司，未经苏州汉天下电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210876278.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
