[发明专利]芯片制造方法及设备

权利要求书

1.一种芯片制造方法，包括：

在晶圆上制备多个预定芯片集合，其中，每个预定芯片集合包括多个单芯片；

对所述多个预定芯片集合中的每个单芯片进行合格性测试；

基于所述测试的结果对所述晶圆进行切割，其中

响应于所述多个预定芯片集合中的第一预定芯片集合内的每个单芯片都是合格的，将所述第一预定芯片集合作为整体切割，或者

响应于所述多个预定芯片集合中的第二预定芯片集合内的部分单芯片是合格的，将所述第二预定芯片集合中不合格的单芯片和合格的单芯片切割分离。

2.根据权利要求1所述的方法，在所述基于所述测试结果对所述晶圆进行切割之后，还包括：

将切割得到的中间产品进行封装。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述对切割得到的中间产品进行封装，包括：

将所述第一预定芯片集合作为整体切割所得到的第一中间产品整体进行封装；

将所述第二预定芯片集合中不合格的单芯片和合格的单芯片切割分离所得到的包括至少一个所述合格的单芯片的第二中间产品进行封装。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述包括至少一个所述合格的单芯片的第二中间产品包括至少两个彼此互连的单芯片，

所述将所述第二预定芯片集合中不合格的单芯片和合格的单芯片切割分离所得到的包括至少一个所述合格的单芯片的第二中间产品进行封装，包括：

将所述至少两个彼此互连的单芯片整体进行封装。

5.根据权利要求1-4任一所述的方法，其中，所述在晶圆上制备所述多个预定芯片集合，包括：

位于所述多个预定芯片集合中的同一预定芯片集合的多个单芯片至少由同一芯片制备光罩形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在晶圆上制备所述多个预定芯片集合，包括：

在所述晶圆中制备导电结构电连接所述同一预定芯片集合内相邻的两个单芯片。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述在晶圆上制备所述多个预定芯片集合，还包括：

在所述同一预定芯片集合内相邻的两个单芯片之间形成切割道区域，

其中，在所述晶圆中制备所述导电结构电连接所述同一预定芯片集合内相邻的两个单芯片，包括：

所述相邻的两个单芯片通过所述导电结构经所述切割道区域电连接。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述在晶圆上制备所述多个预定芯片集合，还包括：

在所述相邻的两个单芯片之间的所述切割道区域的两端分别设置密封环。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述密封环与所述两个单芯片的与所述切割道区域延伸方向相垂直的芯片边缘对齐。

10.根据权利要求5所述的方法，在对所述多个预定芯片集合中的每个单芯片进行测试之后，还包括：

根据所述测试的结果，在所述晶圆上形成至少一个重分布层以电连接所述同一预定芯片集合内相邻的两个合格的单芯片。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，

对于所述同一预定芯片集合为所述第一预定芯片集合的情形，所述重分布层包括用于电连接所述第一预定芯片集合内全部合格的单芯片的第一导电结构；或者

对于所述同一预定芯片集合为所述第二预定芯片集合的情形，

若所述第二预定芯片集合包括在同一行或同一列的相邻的两个合格的单芯片，所述重分布层包括用于电连接所述第二预定芯片集合内的所述在同一行或同一列的相邻的两个合格的单芯片的第二导电结构；或者

若所述第二预定芯片集合不包括在同一行或同一列的相邻的两个合格的单芯片，所述重分布层不形成在所述第二预定芯片集合上，或所述重分布层形成在所述第二预定芯片集合上但不电连接相邻的两个单芯片。