[发明专利]一种小发光角的Micro LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种小发光角的Micro LED芯片，其特征在于，包括：

外延结构，所述外延结构包括N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，所述多量子阱层位于所述N-GaN层和所述P-GaN层之间；

设置在所述P-GaN层背离所述多量子阱层一侧表面的透明导电薄膜；

设置在所述外延结构和所述透明导电薄膜一侧表面的全反射层；

设置在所述透明导电薄膜背离所述P-GaN层一侧表面的P-Pad层；

设置在所述N-GaN层一侧表面的N-Pad层；

设置在所述N-GaN层另一侧表面的功能层，所述功能层由低折射率材料和高折射率材料交替堆叠形成。

2.根据权利要求1所述的Micro LED芯片，其特征在于，所述外延结构还具有第一倾斜侧壁和第二倾斜侧壁；

所述第一倾斜侧壁与水平面的夹角为第一角度，所述第一角度为20-70°；

所述第二倾斜侧壁与水平面的夹角为第二角度，所述第二角度为20-70°。

3.根据权利要求1所述的Micro LED芯片，其特征在于，所述全反射层为DBR、ODR或金属反射镜。

4.根据权利要求1所述的Micro LED芯片，其特征在于，所述功能层由31层低折射率材料和高折射率材料交替堆叠形成。

5.根据权利要求4所述的Micro LED芯片，其特征在于，所述底折射率材料为SiO₂或MgF₂，所述高折射率材料为TiO₂或Ti₃O₅。

6.根据权利要求1所述的Micro LED芯片，其特征在于，所述功能层由51层低折射率材料和高折射率材料交替堆叠形成。

7.根据权利要求6所述的Micro LED芯片，其特征在于，所述低折射率材料为U-GaN，所述高折射率材料为N-GaN或AlN。

8.根据权利要求1所述的Micro LED芯片，其特征在于，所述透明导电薄膜为ITO薄膜、或Ni/Au薄膜、或AZO薄膜。

9.一种小发光角的Micro LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底的一侧表面形成外延结构，所述外延结构包括在所述衬底上依次生长的N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层；

利用刻蚀工艺对所述外延结构进行第一次刻蚀，形成第一倾斜侧壁，并露出部分所述N-GaN层表面；

在所述P-GaN层背离所述多量子阱层的一侧表面形成透明导电薄膜；

利用刻蚀工艺对所述N-GaN层进行第二次刻蚀，形成第二倾斜侧壁；

在所述外延结构和所述透明导电薄膜的一侧表面形成图形化的全反射层，并露出部分所述透明导电薄膜和所述N-GaN层表面；

在露出的所述N-GaN层表面形成N-Pad层；

在露出的所述透明导电薄膜表面形成P-Pad层；

去除所述衬底，在所述N-GaN层背离所述多量子阱层的一侧表面形成功能层，所述功能层由低折射率材料和高折射率材料交替堆叠形成。

10.一种小发光角的Micro LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底的一侧表面形成功能层，所述功能层由低折射率材料和高折射率材料交替堆叠形成；

在所述功能层背离所述衬底的一侧表面形成外延结构，所述外延结构包括在所述功能层上依次生长的N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层；

利用刻蚀工艺对所述外延结构进行第一次刻蚀，形成第一倾斜侧壁，并露出部分所述N-GaN层表面；

在所述P-GaN层背离所述多量子阱层的一侧表面形成透明导电薄膜；

利用刻蚀工艺对所述N-GaN层和所述功能层进行第二次刻蚀，形成第二倾斜侧壁；

在所述功能层的侧壁以及所述外延结构和所述透明导电薄膜的一侧表面形成图形化的全反射层，并露出部分所述透明导电薄膜和所述N-GaN层表面；

在露出的所述N-GaN层表面形成N-Pad层；

在露出的所述透明导电薄膜表面形成P-Pad层；

去除所述衬底。