[发明专利]用于处理半导体基板的组合物以及半导体基板的处理方法

说明书

本发明涉及一种用于处理半导体基板的组合物，具体地涉及一种用于处理涂有聚硅氮烷的晶圆边缘部分的组合物。根据本发明的用于处理半导体基板的组合物，在管理方面，可以均匀地保持组合物品质，在工序方面，还可以均匀地处理晶圆的界面。此外，通过提高去除聚硅氮烷的边界部的直线度，能够显著降低产品的不良率，并稳定地提高生产收率。

技术领域

本发明涉及一种用于处理半导体基板的组合物，具体地涉及一种用于处理涂有聚硅氮烷(polysilazane)的晶圆边缘部分的组合物。

背景技术

以往为了在半导体制造工序中形成二氧化硅膜，采用物理气相沉积法(PhysicalVapor Deposition，PVD，溅镀法(Sputtering))、化学气相沉积法(Chemical VaporDeposition，CVD)或溶胶-凝胶法(SOL-GEL)，或者采用形成聚硅氧烷(Polysiloxane)膜或聚硅氮烷膜后，再转化成二氧化硅膜的方法等。其中，形成聚硅氧烷膜或聚硅氮烷膜后，再转化成二氧化硅质膜的方法，可通过低温烧结(low temperature sintering)形成优质的二氧化硅膜质。二氧化硅膜用于液晶显示装置等的半导体元件的绝缘膜、平坦化膜、钝化膜等。

形成二氧化硅膜的方法通常包括将聚硅氮烷溶液旋涂在基板上的步骤、通过加热去除溶剂的步骤、通过烧结将聚硅氮烷转化成二氧化硅膜的步骤。在将聚硅氮烷溶液旋涂在基板上的步骤中，在基板周边的边缘形成珠粒(bead)，同时溶液扩散并涂布在基板的背面。此时，为了防止边缘珠在基板周缘形成不均匀的涂膜厚度，通常会进行边缘珠去除(edge bead removal，EBR)或边缘清洗(edge rinse)处理，为了去除附着在基板背面的聚硅氮烷而实施背面冲洗(back rinse)处理。

如上所述，在基板上涂布聚硅氮烷膜的工序中，有时需要从基板或涂布装置等剥离或去除不需要的聚硅氮烷的工序。已知作为此时使用的组合物为，例如，丙二醇单甲醚乙酸酯(Propylene glycol monomethyl ether acetate，PGMEA)等的共溶剂(co-solvent)混合物。

但是，根据这样的组合物，很难充分剥离或去除聚硅氮烷，因此去除聚硅氮烷的边界面容易产生膜厚的隆起(hump height)。这种膜厚隆起会在膜的烧结过程中引起裂纹或剥落，从而在产品中可能会出现缺陷。此外，由于在工序中产生的废液的凝胶化，有可能导致涂布装置的堵塞，因此在工序过程中需要经常进行装置内部堵塞的防止作业。此外，当废液罐内产生的硅烷、氢气、氨气等气体超过自燃极限时，稳定性就会受到影响。

因此，需要一种用于处理半导体基板的组合物，该组合物在需要去除的聚硅氮烷中具有优异的溶解性，并改善了去除聚硅氮烷的边界面的直线度(Straightness)。

发明内容

发明要解决的问题

本发明旨在提供一种用于有效处理涂有聚硅氮烷的半导体基板的组合物。

用于解决问题的手段

为了解决上述课题，本发明提供一种用于处理半导体基板的组合物，相对于组合物的总重量，包含98至99.8重量％的三甲苯(trimethylbenzene)、以及氟类表面活性剂。

根据一实施例，上述氟类表面活性剂的分子可以是线型(linear)或支链型(branched)。

例如，氟类表面活性剂可以包含由选自化学式1至4中的一种以上表示的化合物。

[化学式1]

[化学式2]

[化学式3]

[化学式4]