[发明专利]隔离式温度传感器装置

权利要求书

1.一种设备，其包括：

封装衬底，其包括经配置用于安装半导体裸片的裸片垫、连接到所述裸片垫的第一引线以及与所述第一引线及所述裸片垫隔开并隔离的第二引线及第三引线；

半导体裸片，其包含安装在所述裸片垫上的温度传感器，其包括：

半导体衬底，其具有导电地安装到所述裸片垫的背侧表面且具有与所述背侧表面相对的有源表面；

连续金属化层，其堆叠在所述半导体裸片的所述有源表面上方，第一金属化层是最接近所述有源表面的金属化层，且所述连续金属化层上覆于前一金属化层，最上金属化层距所述有源表面最远，所述连续金属化层包括用于特定金属化层的电介质材料中的相应导体层，且包含从所述相应导体层延伸穿过所述电介质材料到邻近金属化层的导电通路；

所述温度传感器，其由所述最上金属化层中的所述相应导体层形成；及

高压环，其由所述最上金属化层中的所述相应导体层形成，所述高压环与所述温度传感器隔开且环绕所述温度传感器；

接合垫，其由所述最上金属化层中的所述导体层形成，经配置用于进行电连接；及

电连接，其将所述接合垫耦合到所述第二引线及所述第三引线。

2.根据权利要求1所述的设备，且进一步包括：

隔离结构，其包含所述高压环，所述高压环包括所述最上金属化层与所述第一金属化层之间的所述连续金属化层中的每一者的所述相应导体层的一部分，所述隔离结构的所述导体层通过导电通路耦合到所述导体层中的邻近者，且所述第一金属化层的导体层通过接触通路及接触件进一步耦合到所述半导体衬底的所述有源表面。

3.根据权利要求1所述的设备，且进一步包括：

低压环，其由所述最上金属化层中的所述相应导体层形成且环绕所述温度传感器，所述低压环放置在所述温度传感器与所述高压环之间。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述金属化层是在N个连续金属化层中，其中第N层是最上层，其中N是在从4到12范围内的正整数。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述温度传感器进一步包括阻抗。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述阻抗进一步包括所述最上金属化层中的所述相应导体层的布置成螺旋形状且具有两端的连续部分。

7.根据权利要求5所述的设备，其中所述阻抗进一步包括所述最上金属化层中的所述导体层的具有两端的连续部分。

8.根据权利要求5所述的设备，其中所述温度传感器进一步包括电容。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述电容由所述最上金属化层中的相应导体的两个部分形成，所述两个部分通过所述最上金属化层的电介质隔开布置为在其之间具有均匀间隔距离。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述电容由所述最上金属化层中的所述导体的两个螺旋部分形成。

11.根据权利要求9所述的设备，且进一步包括由所述金属化层的最上层级中的导体形成且耦合到所述电容的所述两个部分中的第一者的第一接合垫，及由所述金属化层的所述最上层级中的所述导体形成且耦合到所述电容的所述两个部分中的第二者的第二接合垫。

12.根据权利要求1所述的设备，且进一步包括形成在所述金属化层的最上层与所述金属化层的下伏层之间的氮氧化硅层，且在所述温度传感器与所述高压环之间的所述氮氧化硅层中具有横向开口。

13.根据权利要求1所述的设备，其中所述封装衬底包含耦合到所述裸片垫的引线，且耦合到所述裸片垫的所述引线经配置以放置成与系统板上的高压信号接触。