[发明专利]一种有机-无机共混体异质结纳米复合材料、制备方法及叠层自驱动光电探测器在审
| 申请号: | 202210859396.X | 申请日: | 2022-07-21 | 
| 公开(公告)号: | CN115312664A | 公开(公告)日: | 2022-11-08 | 
| 发明(设计)人: | 杨盛谊;穆罕穆德·苏拉曼;葛振华 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 | 
| 主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48 | 
| 代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 张洁 | 
| 地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有机 无机 共混体异质结 纳米 复合材料 制备 方法 驱动 光电 探测器 | ||
1.一种有机-无机共混体异质结纳米复合材料,其特征在于:所述材料由全无机钙钛矿纳米材料和P3HT复合形成体异质结结构薄膜;全无机钙钛矿纳米材料与P3HT的摩尔比为100:1~600:1,P3HT的分子量为50K~55K。
2.如权利要求1所述的一种有机-无机共混体异质结纳米复合材料,其特征在于:所述全无机钙钛矿纳米材料为锡基卤素钙钛矿纳米材料。
3.如权利要求2所述的一种有机-无机共混体异质结纳米复合材料,其特征在于:所述全无机钙钛矿纳米材料为CsSnBr3。
4.如权利要求1所述的一种有机-无机共混体异质结纳米复合材料,其特征在于:所述全无机钙钛矿纳米材料与P3HT的摩尔比为150:1~200:1。
5.一种如权利要求1~4任意一项所述的有机-无机共混体异质结纳米复合材料的制备方法,其特征在于:所述方法步骤如下:
将全无机钙钛矿纳米材料溶于溶剂Ⅰ中得到钙钛矿纳米材料溶液,将P3HT溶于溶剂Ⅱ中得到P3HT溶液,将钙钛矿纳米材料溶液和P3HT溶液混合均匀,得到钙钛矿纳米材料:P3HT混合溶液,采用旋涂法将所述混合溶液旋涂在基底上,在基底上制备得到一种有机-无机共混体异质结纳米复合材料;其中,溶剂Ⅰ和溶剂Ⅱ相同或互溶,钙钛矿纳米材料溶液的浓度为18mg/mL~22mg/mL,P3HT溶液的浓度为18mg/mL~22mg/mL,钙钛矿纳米材料溶液与P3HT溶液的体积比为1:0.2~1:1。
6.如权利要求5所述的一种有机-无机共混体异质结纳米复合材料的制备方法,其特征在于:所述溶剂Ⅰ和溶剂Ⅱ为氯苯,钙钛矿纳米材料溶液与P3HT溶液的体积比为1:0.54~1:0.72。
7.一种叠层自驱动光电探测器,其特征在于:包括从上至下依次设置的金属顶电极、空穴传输层、体异质结有源层、电子传输层以及透明导电底电极;其中,所述体异质结有源层为权利要求1~5任意一项所述的一种有机-无机共混体异质结纳米复合材料。
8.如权利要求7所述的一种叠层自驱动光电探测器,其特征在于:所述金属顶电极的厚度为50nm~150nm,空穴传输层的厚度为50nm~250nm,体异质结有源层的厚度为100nm~800nm,电子传输层的厚度为50nm~250nm,透明导电底电极的厚度为50nm~120nm;
所述金属顶电极为Au、Al或Ag;所述空穴传输层为硫氰酸铜;所述电子传输层为ZnO纳米颗粒层。所述ZnO纳米颗粒层通过溶胶-凝胶法制备得到;所述透明导电底电极为氧化铟锡。
9.如权利要求7所述的一种叠层自驱动光电探测器,其特征在于:所述叠层自驱动光电探测器通过以下方法制备得到,所述方法的步骤包括:
(1)在透明导电底电极基底上采用旋涂法制备电子传输层;
(2)采用旋涂法将钙钛矿纳米材料:P3HT混合溶液旋涂在电子传输层上,制备得到体异质结有源层;
(3)在所述体异质结有源层上,采用旋涂法制备空穴传输层;
(4)在所述空穴传输层上,采用掩模板、并通过热蒸发的方法制备金属顶电极,得到一种叠层自驱动光电探测器。
10.如权利要求9所述的一种叠层自驱动光电探测器,其特征在于:步骤(2)中,旋涂速度为1000rpm~2000rpm,旋涂时间为60s~120s。
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